华夫板浇筑完成，项目员工合影留念。

9月28日，中建五局三公司湖南三安半导体产业园项目C2综合动力站单体完成封顶。该动力站建筑面积约10000平方米，是厂区的心脏，主要包括热水系统，冷却水系统、压缩空气系统、发电系统等。

9月29日，随着最后一块华夫板浇筑完毕，该产业园最大单体M2B碳化硅芯片生产厂房全面进入主体施工收尾阶段，这也标志着公司在华夫板浇筑领域的首次施工圆满落下帷幕。

湖南三安半导体产业园项目为国内第一条、世界第三条碳化硅全产业链产线，项目产品为高质量、低成本、高稳定性的碳化硅衬底及各类器件，可广泛用于新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域。

“M2B碳化硅芯片厂房是该项目一标段30个单体中建筑面积最大、洁净等级要求最高的厂房。”项目负责人周祥介绍，其按照“百级洁净度”标准建设，堪比最高洁净等级的手术室内部空气洁净标准。

由于此类工程在我国起步相对较晚，鲜有成熟的施工经验推广应用，依托中建五局三公司设计、采购、施工“一揽子”的全产业链总承包优势，采取分区域流水施工，并进行事先讨论、层层交底；事中控制、严格把关；事后审核、总结经验，严格执行工作面移交制度，根据现场施工效果不断改进施工方法，终于在9月29日顺利完成M2B芯片厂房最后一块华夫板的浇筑，为后续结构施工打下了良好基础。

项目相关负责人介绍，该项目建成达产后，将形成超100亿的产业规模，带动上下游配套产业产值预计超1000亿，创造近10000个就业岗位。凭借项目完整的碳化硅产业链布局和强大的制造平台，将促成湖南、长沙成为全球碳化硅、氮化镓市场高地，达到化合物半导体领域的领先地位。

湖南三安半导体项目规划主附建筑物81栋，包括长晶、衬底、外延、芯片、封测等厂房，总建筑面积54万平方米。项目一期建筑面积22.2万平方米，由中建五局三公司承建，包含M1A 碳化硅长晶、M1B 碳化硅长晶、M1C 碳化硅衬底等12个大单体，以及Y1-Y8化学品库、W1-W9气瓶库等26个小单体。