作为第二代半导体材料代表的磷化铟（InP），具有高的电光转换效率、高的电子迁移率、高的工作温度、以及强抗辐射能力的特点，广泛应用在光通信、高频毫米波、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。根据Yole测算，2021年全球2英寸InP衬底需求达到约400万片，4英寸InP衬底需求约105万片。到2024 年，InP 市场规模将达到1.72 亿美元，年复合年增长率为14%。

InP是激光收发器重要的半导体材料，处于产业链上游；激光器和接收器是光模块能进行光电信号转换的核心器件，处于产业链中游；以亚马逊、微软为代表的云计算厂商是光通信产业的应用端，处于产业链下游。5G 时代光通信行业迎来快速发展，5G 基站网络结构的变化增加对光模块的需求，激光器和探测器是光模块的关键光电器件，产能有望扩张，进一步带动光通信核心半导体材料InP需求的增长。

5G 网络高频、高速的特性要求前端射频组件具备在高频、高功率下更好的性能表现，从而对其半导体材料电子迁移率和工作温度等物理性能提出了更高的要求。利用InP制造的信号接收机和放大器可以工作在100GHz以上的极高频率，并且有很宽的带宽，受外界影响小，稳定性高。因此InP在5G 时代将成为终端设备以及基站设备前端射频器件的核心半导体材料，迎来更大市场空间。

来源：化合物半导体网站

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