第三代半导体材料

第三代半导体材料是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率期间，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2eV），也称为高温半导体材料。是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、特高压电网、国防军工等产业创新发展的重点核心材料和电子元器件。

第三代半导体材料是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2eV），也称为高温半导体材料。是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、特高压电网、国防军工等产业创新发展的重点核心材料和电子元器件。