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第三代半导体材料
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第三代半导体材料

第三代半导体材料是指以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有宽的禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率期间,通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2eV),也称为高温半导体材料。是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、特高压电网、国防军工等产业创新发展的重点核心材料和电子元器件。

第三代半导体材料是指以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有宽的禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2eV),也称为高温半导体材料。是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、特高压电网、国防军工等产业创新发展的重点核心材料和电子元器件。

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