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关于纳设  ABOUT  US 


       深圳市纳设智能装备股份有限公司(以下简称”纳设智能”)成立于2018年10月,坐落于深圳市光明区留学人员创业园。公司主要从事第三代半导体碳化硅、新型光伏材料、纳米材料等先进材料领域所需的薄膜沉积设备等高端设备的研发、生产和销售。公司致力成为全球先进材料制造设备引领者,始终坚持自主创新。

      团队由来自剑桥大学的博士、研究员和资深行业专家为基础,打造了一支对薄膜沉积设备等高端装备以及先进材料制造工艺均具有丰富技术积累的核心团队。公司于2020年被评定为具有高成长性的“国家高新技术企业”,2024年荣获国家级专精特新“小巨人”认定,2025年荣获高端装备领域 “金牛科创企业奖”。

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2018 年

公司成立

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2024 年

被评定为

国家级专精特新”小巨人”

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20 +年

技术沉淀

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100 +

技术专利

产品中心  PRODUCTS & TECHNOLOGY 


碳化硅外延设备

纳设智能碳化硅外延设备采用水平热壁的技术路线实现单片式外延生长,兼容8英寸、6英寸外延片,温场流场等结构稳定,耗材成本、维护频次更低,设备工艺指标优异,厚度均匀性、浓度均匀性、缺陷密度等均达到行业先进水平。

原子层沉积设备

纳设智能原子层沉积设备根据表面化学自限制反应原理,采用空间隔离技术,能够精确控制薄膜厚度和生长速率,适用于不同沉积材料,在高速率的薄膜生长过程中能保持薄膜的均匀性,进而制备出均匀性好、保形性优、致密性佳的薄膜材料,应用于对超薄薄膜(1nm~50nm)有需求的各个领域,如光伏,半导体,面板显示,生物医疗等。

科研级定制化CVD设备

化学气相沉积(CVD)设备是一种关键的制备工具,被广泛应用于材料制备和表面工程领域。CVD设备的工作原理是通过将气态前体物质在恰当的温度、压力和反应条件下与基底表面反应,从而形成所需的薄膜结构,在半导体、光电子器件、表面涂层等领域有着广泛的应用。

开放式卷对卷石墨烯制备设备

开放式卷对卷石墨烯制备设备是一种用于大规模生产石墨烯薄膜的关键设备。这种设备采用卷对卷(roll-to-roll)的生产方式,即将基底材料(如聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜等)和石墨烯前体材料以连续的方式卷绕在辊筒之间,并在适当的温度和气氛下进行热解,使石墨烯层沉积在基底上,开放式卷对卷石墨烯制备设备可实现大规模、高效率的石墨烯薄膜生产,为石墨烯在电子、光学和能源领域的广泛应用提供了关键支持。

应用领域  ADVANTAGE MATERIAL 


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光伏钙钛矿

钙钛矿是一种新型的太阳能电池材料,钙钛矿太阳能电池利用有机铅卤化物(如甲基铅溴化物)与无机卤化物(如钙钛矿)形成的钙钛矿晶体结构来转换太阳能光子为电能。自从2009年首次报道以来,钙钛矿太阳能电池领域已经取得了飞速发展,不断提高转换效率、稳定性和制备工艺,已经开始商业化生产。

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第三代半导体

第三代半导体是指相对于传统的硅基半导体而言,具有更优异性能和应用前景的新型半导体材料和器件。这些半导体材料通常包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等,具有较高的电子迁移率、热稳定性和宽带隙等优点。

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二维材料

二维材料是指在至少一个维度上具有纳米尺度的厚度的材料,同时在另外两个维度上具有微米或更大尺寸的长度和宽度。这些材料通常以单层或几层原子的形式存在,并且具有特殊的物理、化学和电子性质。常见的二维材料有石墨烯、硼氮化物、过渡族金属二硫化物等,二维材料因其独特的性质,在纳米电子学、光电子学、催化剂、生物医学和能源存储等领域都展现出了巨大的潜力,并在各种领域的研究和应用中受到了广泛关注。

新闻资讯  NEWS INFORMATION


金风送爽,九月将至。 纳设智能将携核心产品与方案,先后亮相三大行业盛会,与全球半导体产业伙伴共探半导体与先进制造的未来方向。 诚邀各位合作伙伴、行业同仁莅临纳设智能展位,共话技术、共谋发展。

2026-08-25

2026年6-7月,超宽禁带半导体迈入“材料突围、装备自主与多场景渗透”的深水区。 金刚石:散热与装备双轮驱动。散热端,科之诚、云天半导体等破解算力芯片封装瓶颈,厦大实现百纳米级裂纹控制;装备端,哈工大自研设备打破大尺寸制造壁垒,Element Six攻克3英寸晶圆级工艺;应用端,日本推动功率器件实用化,美国拓展量子传感新窗口。 氧化镓:超大尺寸与极限耐压领跑。镓仁建成全球首条6/8英寸同质外延量产线并批量供货,富加镓业率先实现(011)面2英寸衬底供应及12英寸外延,平湖实验室攻克无金低阻接触与原子级平坦化,国镓晶谷制备6英寸单晶,国产化全面突围。 氮化铝:性能与知识产权并蓄。深圳平湖实验室刷新功率器件全球纪录,晶镓半导体成为全球唯一兼具GaN与AlN自主知识产权衬底厂商,双线并进抢占制高点。

2026-08-20

2026年6-7月,碳化硅(SiC)领域在政策引领与市场驱动下持续深化,从地方规划到技术突破、从产业合作到应用落地,多点发力。 政策破局:上海临港发布第四代半导体三年行动方案,江苏率先出台固态变压器专项政策,地方产业布局从“规划引导”走向靶向扶持; 技术攻坚:平湖实验室750V沟槽型SiC JFET达国际先进水平,突破高端工艺瓶颈; 应用落地:通用电气、蔚来、士兰、三安等企业密集达成战略合作,覆盖车规、固态变压器(SST)及航空航天等核心领域,同时瑞声科技、英飞凌、Wolfspeed等国内外大厂加速推进器件迭代与量产交付,推动3300V高压芯片及高良率工程流片落地; 产业布局:中、韩、日、美等主要经济体持续加码,国内多地及国际巨头纷纷投建新产线,全球功率半导体竞赛全面升级。

2026-08-18

江海潮涌,智汇南通。2026 年 8 月 8 日 —9 日,由纳设智能董事长、深圳潮青会轮值主席陈炳安博士带队,潮青会青年企业家代表携手帝国理工校友会代表团奔赴江苏南通,实地走访纳设智能南通生产研发基地,并与南通高新区管委会开展政企深度座谈,开启一场关于跨区域产业协同、资源互通的交流之旅。

2026-08-13

近日,欧洲工程院(European Academy of Engineering, EAE)正式公布2026年度新晋院士名单,纳设智能独立董事龙腾先生成功当选,斩获国际工程技术领域重磅学术荣誉!

2026-08-10