产品与技术
PRODUCTS AND TECHNOLOGY
智能制造
兼容AGV&天车，可实现全自动化配套；
配置NH3、N2、TMAL模块，可自由组合，满足不同产品规格。
自主安全
通过SEMI认证，符合行业标准和规范；
具备自主知识产权，具有独特的技术优势。
纳设智能碳化硅外延单腔系统采用水平热壁的技术路线实现外延生长，独创的反应腔室设计配备可独立控制的多区进气系统，显著提升了外延片的均匀性，同时降低外延缺陷率。
反应腔室
石墨腔室配件数量少，结构更简化；
腔室进气/传片方式独特，减少外延掉落物。
尾气系统
维护仅打磨平板石墨件，方便配件的清理操作；
维护无需分离传输腔，只打开腔室后端法兰，维护简易。
气体系统
5区进气，乙烯/三氯氢硅每区独立控制；
各区碳硅比独立控制，调整更灵活。
晶圆控制
工艺中晶圆转速可精确调控；
工艺中晶圆高度位置精确调控。
纳设智能的6英寸碳化硅外延设备，采用水平热壁技术路线实现单片式生长，兼容6英寸、4英寸外延片，设备性能可靠，已稳定量产。
精确：气路独立可控
● 精湛：工艺指标优异
● 低耗：耗材成本更低
● 省时：维护频次更低
● 进阶：NP型灵活切换
通过物理分隔反应区实现空间交替：基板在移动中依次经过前驱体A区、惰性气体吹扫区、前驱体B区，单次循环即可完成原子层沉积。
薄膜性能：片内/片间/批次间不均匀性＜±5%，折射率不均匀性＜±3%（不均匀性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)）
产品特色：A源B源气路独立，工艺距离可调，源瓶压力可控，自动传片及取片，可扩展腔体及气路数量，支持客户定制
采用时间顺序交替引入前驱体，在单一反应腔内完成循环：前驱体A脉冲→抽空→前驱体B脉冲→抽空
薄膜性能：片内/片间/批次间不均匀性＜±5%，折射率不均匀性＜±3%（不均匀性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)）
产品特色：A源B源气路独立，工艺距离可调，电动开盖，15英寸工业级触摸屏， 支持客户定制
● 大规模生产能力：开放式卷对卷石墨烯制备设备能够实现连续、高效率的生产，适用于大规模石墨烯薄膜的制备。
● 高质量石墨烯生长：通过优化反应条件和热解参数，设备能够实现高质量、均匀的石墨烯生长，具有优异的电学和物理性能。
● 可调控性：设备具有较高的工艺可调控性，能够调整石墨烯的厚度、晶格结构和形貌，以满足不同应用的需求。
● 高质量薄膜生长：能够实现对材料生长过程的精确控制
● 高性能材料制备：可以制备出各种特定要求的功能性材料
● 高效率生产：能够在相对短的时间内完成大面积薄膜的生长
● 广泛应用性：MOCVD设备广泛应用于LED、LD、太阳能电池等领域，为这些器件的制备提供了关键的材料基础。