产品详情
通过物理分隔反应区实现空间交替：基板在移动中依次经过前驱体A区、惰性气体吹扫区、前驱体B区，单次循环即可完成原子层沉积。
薄膜性能：片内/片间/批次间不均匀性＜±5%，折射率不均匀性＜±3%（不均匀性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)）
产品特色：A源B源气路独立，工艺距离可调，源瓶压力可控，自动传片及取片，可扩展腔体及气路数量，支持客户定制
相关产品
RELATED PRODUCTS
碳化硅外延设备是用于碳化硅芯片生产的核心环节—外延层生长的专用设备，这一过程是制造电力电子器件，如二极管、功率半导体器件的关键步骤。纳设智能全自动双腔设备采用创新的双反应腔协同设计，通过模块化腔体结构和智能控制系统，实现双腔同步运行与工艺参数独立调控，为规模化量产提供了更优解决方案。
<strong>智能制造</strong> 兼容AGV&天车，可实现全自动化配套； 配置NH3、N2、TMAL模块，可自由组合，满足不同产品规格。 <strong>自主安全</strong> 通过SEMI认证，符合行业标准和规范； 具备自主知识产权，具有独特的技术优势。
查看详细信息
纳设智能碳化硅外延单腔系统采用水平热壁的技术路线实现外延生长，独创的反应腔室设计配备可独立控制的多区进气系统，显著提升了外延片的均匀性，同时降低外延缺陷率。
<strong>反应腔室</strong> 石墨腔室配件数量少，结构更简化； 腔室进气/传片方式独特，减少外延掉落物。 <strong>尾气系统</strong> 维护仅打磨平板石墨件，方便配件的清理操作； 维护无需分离传输腔，只打开腔室后端法兰，维护简易。 <strong>气体系统</strong> 5区进气，乙烯/三氯氢硅每区独立控制； 各区碳硅比独立控制，调整更灵活。 <strong>晶圆控制</strong> 工艺中晶圆转速可精确调控； 工艺中晶圆高度位置精确调控。
查看详细信息
纳设智能的6英寸碳化硅外延设备，采用水平热壁技术路线实现单片式生长，兼容6英寸、4英寸外延片，设备性能可靠，已稳定量产。
<strong>精确：气路独立可控</strong> ● 精湛：工艺指标优异 ● 低耗：耗材成本更低 ● 省时：维护频次更低 ● 进阶：NP型灵活切换
查看详细信息
通过物理分隔反应区实现空间交替：基板在移动中依次经过前驱体A区、惰性气体吹扫区、前驱体B区，单次循环即可完成原子层沉积。
薄膜性能：片内/片间/批次间不均匀性＜±5%，折射率不均匀性＜±3%（不均匀性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 产品特色：A源B源气路独立，工艺距离可调，源瓶压力可控，自动传片及取片，可扩展腔体及气路数量，支持客户定制
查看详细信息在线留言
ONLINE MESSAGE
*注：请务必信息填写准确，并保持通讯畅通，我们会尽快与你取得联系