宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（五月）

　　为助力宽禁带半导体产业生态圈建设，推动技术创新与资源高效对接，宽禁带联盟特别推出《产业信息简报》，本刊聚焦政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板块，为行业同仁打造一个全面、权威、高效的信息交流平台。每月更新，持续为行业赋能。

　　因篇幅限制，本期呈现内容为精选版本。完整版简报已同步发送至联盟成员单位邮箱，如您需获取完整版内容或有技术突破、项目进展、合作需求或行业活动需推广传播，欢迎与我们联系。让我们携手推进宽禁带半导体产业高质量发展！

【投稿/合作请联系：lianmeng@iawbs.com】

 目 录 

技术前沿

1	全球首个氮化镓量子光源芯片发布
2	西湖大学团队开发出新型碳化硅超透镜
3	有研集团：金刚石/铜助力芯片冷却
4	郑州大学实现大尺寸高质量金刚石激光晶体批量生长，并刷新人眼安全波段金刚石拉曼激光器件性能记录

联盟动态

1	《宽禁带半导体大讲堂 第五期 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发展？》成功举办
联盟近期活动预告
1	2025年7月15日：2025宽禁带半导体硬科技路演
2	2025年7月15日-17日：2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛

企业合作

1	镓仁半导体与德国NextGO.Epi携手，推动氧化镓应用
2	英诺赛科与美的厨热达成GaN战略合作
3	比亚迪半导体与海尔集团深化合作
4	英飞凌与美的签署战略合作协议：聚焦技术创新与智能绿色生活
5	英飞凌与伟世通将合作宽带隙半导体器件
6	英飞凌携手优优绿能，助力电能转换效率新突破
7	英伟达携手纳微升级电源架构，氮化镓和碳化硅发挥核心作用
8	黄河旋风：拟与博志金钻设立合资公司，推进高性能金刚类散热材料与器件产业化
9	金刚石激光技术及应用协同创新中心在河北工业大学正式成立
10	赛米控丹佛斯与中车时代半导体签署合作备忘录-共同推进功率模块芯片供应
11	杰平方-奥斯达克成立SiC战略合作中心
12	季丰电子携手林众电子、瞻芯电子共建功率半导体联合实验室

企业动态/新产品/新技术

1	重投天科：6&8吋产品已推向市场
2	西湖仪器激光剥离效率与损耗双重突破
3	山东力冠微电子装备推出12英寸液相法SiC长晶炉
4	晶驰机电交付河北省首台12英寸碳化硅长晶设备
5	镓仁半导体GARENSEMI荣获浙江省半导体行业“创新活力奖”
6	河南科之诚：推出多项金刚石领域核心产品，引领行业突破
7	基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET
8	英飞凌推出SiC沟槽型超结（TSJ）技术
9	安世半导体推出行业领先的D2PAK-7封装车规级1200V碳化硅MOSFET
10	宇视科技：AI视频充电桩采用SiC
11	华为布局SiC超充赛道
12	小米YU7强势登陆，搭载800V碳化硅高压平台
13	丰田发布SiC插混车型
14	杭州富加镓业“一键长晶”设备通过客户现场验收
15	华芯晶电成功研制高质量氧化镓晶体
16	浩思动力发布全球首搭氮化镓功率模块的微型增程器
17	中科阿尔法推出氮化镓机器人关节模组
18	京东方华灿GaN电力电子突破：消费级可靠性1000H突破，工业级JEDEC蓄势待发
19	罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产

项目建设/投融资信息

1	长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线
2	中低压功率器件产业化（株洲）建设项目封顶
3	浙江瀚薪碳化硅封测项目封顶

 

4	茂矽电子：新建碳化硅晶圆线
5	扬杰科技SiC车规级模块封装项目开工

 

6	奕能碳化硅模组生产基地项目进入主体施工阶段
7	华润微GaN亿颗芯片庆典暨外延项目通线
8	拓诺稀科技氧化镓外延项目即将投产

多家企业投融资信息：

1	米格实验室完成近亿元战略融资
2	臻驱科技完成6亿元融资顶
3	基本半导体提交上市申请

 

4	芯源新材料完成C轮融资，备战IPO

宽禁带科技论

1	电子科大罗小蓉教授团队：p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
2	北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件

 技术前沿 

全球首个氮化镓量子光源芯片发布 

5月9日，电子科技大学教授、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心主任周强，正式发布了全球首个氮化镓量子光源芯片。这一突破性成果标志着中国在量子科技领域迈出了重要一步，为量子互联网的发展提供了关键硬件支撑。据悉，氮化镓量子光源芯片的实际尺寸仅有0.14平方毫米，但其发光范围、出射亮度、纠缠质量等关键指标均处于国际先进水平。

值得注意的是，该芯片攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次运用氮化镓材料，使芯片的输出波长范围从25.6纳米增加到100纳米，并朝着单片集成方向发展。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/o350fgVb_3zO-cmbwm2hHQ

西湖大学团队开发出新型碳化硅超透镜 

西湖大学仇旻教授课题组成功开发出一种新型的同质碳化硅（4H-SiC）超透镜，为解决高功率激光加工中的热漂移问题提供了全新的解决方案。

与传统商用物镜相比，该超透镜不仅能够实现衍射极限的聚焦，还能在长时间高功率激光辐照下保持性能稳定，几乎不受热吸收的影响。

4H-SiC 材料因其优异的特性备受关注：在光学方面，具有高透过率和高折射率；在热管理方面，具有高热导率；在机械性能方面，具备高硬度和抗划伤能力。这些特性使其成为高性能光学器件和高功率器件的理想材料。

新型超透镜利用 4H-SiC 材料的高热导率和低损耗特性，有效抑制了热漂移效应，摆脱了对复杂冷却系统的依赖。

这一技术突破不仅为高功率激光系统提供了关键支持，还为精密仪器制造、极地探险、航空航天等多个领域带来了新的可能性。尤其是在对加工精度和表面质量要求极高的领域，4H-SiC 超透镜可以发挥重要作用，为高功率激光应用提供更加高效、紧凑的解决方案。

日前，相关论文以《4H-SiC 超透镜：抑制高功率激光辐照的热漂移效应》（4H-SiC Metalens: Mitigating Thermal Drift Effect in High-Power Laser Irradiation）为题发表在 Advanced Materials 上 。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/3y3aEwGKlY1iCOI1pAYR4g

有研集团：金刚石/铜助力芯片冷却 

近日，有研集团有限公司有色金属与加工国家重点实验室孙明美、郭宏团队以DC、钼铜等低线性膨胀材料为基材，创新性地制作了三种结构功能一体化开放式微通道热沉（DC60、DC75、MoCu50），以去离子水为操作流体进行流动沸腾实验，结合可视化技术研究其传热特性。

结果表明，沸腾过程中，在高热导率网络的影响下，金刚石/Cu微通道表面比MoCu50微通道具有更多的成核位点，使得成核沸腾成为相变传热过程的主导，大大提高了传热效率。DC75在最高热流密度q" = 4012.14 kW/m²时仍保持绝对优势，与MoCu50相比，DC75传热系数提高了3倍，峰值为127.48 kW/m²K，且未出现干涸现象，底部温度最低，变形量最小，热稳定性强。在段塞流向分层流转变过程中，出现了段塞流-分层流的协同作用，两种流型共存导致压降只有小规模波动，最大压降不超过3.5 kPa。研究成果以“Subcooled flow boiling in diamond/Cu microchannel heat sinks for near-junction chip cooling”为题发表在《Case Studies in Thermal Engineering》期刊。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/4eQ1EPmSuPT90xfthhavfQ

郑州大学实现大尺寸高质量金刚石激光晶体批量生长，并刷新人眼安全波段金刚石拉曼激光器件性能记录 

近日，郑州大学金刚石材料与器件团队在金刚石激光晶体制备及拉曼激光技术方面取得重要进展。研究团队攻克了大尺寸、低应力金刚石单晶制备以及低粗糙度、高平行度金刚石晶体加工等关键技术，研制出光学性能优异的金刚石拉曼激光晶体。基于自主制备的金刚石激光晶体，团队成功开发出具有<1 ns脉冲宽度、MW级峰值功率和kHz高重频的人眼安全波段金刚石拉曼激光器。这一成果标志着团队在高质量金刚石激光晶体材料及拉曼激光技术方面取得了重要进展。

图 1 团队自主生长的大尺寸金刚石拉曼晶体

团队通过构建V型折叠腔和短拉曼腔结构，利用拉曼诱导腔倒空效应，实现了激光能量的快速释放，最终获得脉冲宽度仅为0.6 ns、峰值功率高达913.3 kW的1.45 µm人眼安全波段金刚石拉曼激光器，

刷新了国际上同类型器件性能纪录。此外，该激光器还展现出高的重复频率（1-10 kHz）与良好的光束质量（M² < 1.5），可满足卫星测距等远距离、高精度探测场景的应用需求。

图 2 金刚石拉曼激光器实验装置（左）及输出特性（右）

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/bAoKEeRUbOnTfyafPEV92g

联盟动态

《宽禁带半导体大讲堂 第五期 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发展？》成功举办 

5月13日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、是德科技(中国)有限公司、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会联合主办的“宽禁带半导体大讲堂第五期——如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发展？”在机械工业出版社融媒体中心成功举办！活动得到了中关村联盟联合会、零碳信息通信网络联合实验室的大力支持，同时也得到了蔻享学术、科研云等多家媒体的合作宣传，线上线下观看直播人数超2.3万人次。

本次活动邀请到北京晶格领域半导体有限公司总经理张泽盛，是德科技解决方案工程师孙承志，北京大学集成电路学院研究员、博士生导师魏进，是德科技解决方案工程师叶政鹏，合肥阿基米德电子科技有限公司封装设计部&技术平台部经理马坤，分别从技术突破、测试方法论、应用场景与可靠性设计等维度展开思想碰撞。

图 3 宽禁带半导体大讲堂活动合影

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/L-98AfEv-mSpfc4QmVZfCQ

联盟近期活动预告: 

2025年7月15日：2025宽禁带半导体硬科技路演 

活动详情：https://mp.weixin.qq.com/s/OFVhNYUUQv96DEYMd5ohqw

2025年7月15日-17日：2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛 

活动详情：https://mp.weixin.qq.com/s/OoS196CIt3FFE3cDOpBuNQ

企业合作

镓仁半导体与德国NextGO.Epi携手，推动氧化镓应用

中国氧化镓衬底领域领先企业镓仁半导体与德国氧化镓外延头部企业 NextGO.Epi 签署全球战略合作协议，双方将依托技术优势协同攻关，聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化，此次强强联合将共同推动氧化镓在新能源、电力电子等领域的应用突破，为全球半导体产业注入新动能。

NextGO Epi 是德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）的孵化企业，由周大顺博士、Andreas Popp 博士和 Andreas Fiedler 博士于2025年共同创立。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/eR9ORImRCfo_EAyKMMH5Jg

英诺赛科与美的厨热达成GaN战略合作 

4月29日，英诺赛科发布公告，宣布与美的厨房及热水器事业部达成战略合作，成功在家电领域实现突破。

公告称，本战略合作备忘录的订立是基于双方共同的商业利益和对未来市场机遇的充分认识。结合英诺赛科在氮化镓领域和美的在家电、电机驱动等下游应用领域的优势，达成长期战略合作，双方共同投入资源，聚焦氮化镓在家电等领域应用拓展，开展创新研发，推动氮化镓新产品和方案在家电、厨电等应用领域落地，引领家电行业的技术升级及迭代。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/DRd2sbCO5CM0GT6pOv2uHg

比亚迪半导体与海尔集团深化合作 

5月7日，据“比亚迪半导体”官微消息，海尔集团近日访问比亚迪，双方携手开启深度合作交流之旅。

在参观过程中，第六事业部副总经理杨钦耀详细讲解了 IGBT 等核心产品，让海尔集团代表对第六事业部的技术实力与产品竞争力表示肯定。随后双方围绕第六事业部家电整体解决方案等核心产品展开深度探讨，从产品研发协同到市场联合拓展，从技术创新融合到供应链优化，全方位、多角度交流碰撞，促进半导体产品在海尔应用场景的升级。此外，双方还在多领域合作进行了深入交流，例如：建筑、汽车、物流等场景。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/tTj5y4kJIQzMfgVx1RolOg

英飞凌与美的签署战略合作协议：聚焦技术创新与智能绿色生活 

近期，英飞凌科技与美的集团签署战略合作协议。通过深度整合各自优势资源，双方将在智能家电、新能源以及全球供应等多维度加深合作，共同为消费者提供绿色、安全、高效的产品与服务。

英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉，美的集团副总裁兼首席可持续发展官李国林代表双方正式签署战略合作协议。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/JyBpXRzJkViBhwbXK3LODw

英飞凌与伟世通将合作宽带隙半导体器件 

英飞凌科技公司与汽车电子专家伟世通签署了一份谅解备忘录（MOU），以推进下一代电动汽车动力总成的开发。

两家公司将合作集成基于 Infineon 半导体的功率转换器件，重点是宽带隙器件。未来采用英飞凌 CoolGaN 和 CoolSiC 器件的伟世通电动汽车动力总成应用可能包括电池接线盒、DC-DC转换器和车载充电器。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/jLWO84G4sJRYvvSS5tOxWA

英飞凌携手优优绿能，助力电能转换效率新突破 

英飞凌官微发布消息表示，近期公司与深圳优优绿能股份有限公司深化合作，通过提供英飞凌先进的CoolMOS™和TRENCHSTOP™ IGBT，CoolSiC™ MOSFET和EiceDRIVER™驱动器等全套功率半导体解决方案，全面赋能优优绿能新一代高质量40kW/60kW独立风道充电模块、液冷充电模块以及V2G车网互动解决方案的技术升级，显著提升充换电设备的电能转换效率与稳定性，为充电行业的高质量发展注入新动能。

英飞凌表示，碳化硅器件与生俱来的高功率密度优势，能优化电路拓扑结构，有效减少线损，降低导通损耗和开关损耗，是打造高性能、轻量化、紧凑型充电解决方案的理想选择。通过采用英飞凌CoolSiC™碳化硅解决方案，优优绿能充电模块效率提升至97.5%以上。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/F36r0hzGJl_zac57R07FwA

英伟达携手纳微升级电源架构，氮化镓和碳化硅发挥核心作用 

5月21日，纳微半导体宣布与英伟达达成战略合作，共同开发基于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的800V高压直流（HVDC）电源架构，该技术将率先应用于英伟达下一代AI数据中心及Rubin Ultra计算平台。

根据纳微半导体官方披露，其GaNFast氮化镓功率芯片与GeneSiC碳化硅技术将在合作中发挥核心作用。其GaNFast™功率芯片集成驱动、控制与保护功能，支持高达800V的瞬态电压，并通过GaNSense™技术实现超高功率密度（92.36W/cm³）和97.9%的半载效率，显著优化了数据中心的能源利用率。

英伟达规划显示，该架构将直接服务于其“Kyber”机架级电力系统，配套维谛技术计划于2026年推出的800VDC电源产品组合，包括集中式整流器、高效直流母线槽及机架级DC-DC转换器。

英伟达与纳微半导体的合作，将AI计算需求与功率半导体创新深度绑定。从数据中心到电动汽车，800V高压架构正成为提升能效、突破功率密度的核心路径。随着技术成熟与产业链协同，这一架构或将重新定义全球半导体及新能源产业格局。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/EyN6jPMYiZCB5dJbJY1Z4g

黄河旋风：拟与博志金钻设立合资公司，推进高性能金刚类散热材料与器件产业化 

5月26日，据黄河旋风公告称，公司拟与苏州博志金钻科技有限责任公司共同出资设立河南乾元芯钻半导体科技有限公司，注册资本1000万元，公司出资510万元，占比51%，博志金钻出资490万元，占比49%。

双方将基于在金刚石材料与半导体封装领域的核心优势，形成资源互补、技术协同的合作模式，共同推进多款新一代超高性能金刚类散热材料与器件的研发与产业化，解决大尺寸金刚石材料制备与金刚石类封装器件生产的难题，极大提升封装器件的传热与电性能，引领国际超高功率散热材料与器件发展方向。

此次合作是黄河旋风突破传统业务瓶颈、布局半导体领域的关键举措，而博志金钻则可借力扩大产能。双方技术协同若成功落地，有望推动国产金刚石制品向高端市场转型。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/kUJMLgA3SrdEowQL-_Q5pQ

金刚石激光技术及应用协同创新中心在河北工业大学正式成立 

2025年5月25日，由河北工业大学联合国内外近20家科研机构、高校及企业共同发起，我国首个“金刚石激光技术及应用协同创新中心”在河北工业大学正式成立。该中心依托国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“高功率高相干金刚石激光器关键技术及应用合作攻关”项目平台，聚焦金刚石激光领域的关键核心技术协同突破。中心由河北工业大学学术委员会主任、长江学者特聘教授吕志伟教授担任名誉主任，国家重点研发计划项目负责人白振旭教授担任执行主任。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/RoUV7MuQeASxBOEVQUSovw

赛米控丹佛斯与中车时代半导体签署合作备忘录-共同推进功率模块芯片供应 

5月5日，全球领先的电力电子供应商赛米控丹佛斯与创新型芯片研发制造商中车时代半导体宣布签署合作备忘录（MOU），双方将在功率模块芯片技术的开发与供应领域展开合作。

赛米控丹佛斯总裁Dominic Dorfner表示：“此次备忘录的签署标志着我们在为客户提供先进、可靠的功率模块的道路上迈出了重要一步。通过与中车时代半导体的合作，我们将加速创新芯片技术的开发与应用，推动电气化未来的发展。”

中车时代半导体总经理罗海辉博士表示：“今天我们签署的不仅是一份合作协议，更是一个对未来的共同承诺。中车时代半导体将持续加大研发投入，依托强大的技术团队，在IGBT、碳化硅及双极型芯片等领域为赛米控丹佛斯提供最先进的产品。”

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/8Gxcm8WNVTXZ4g8NWBtdbQv

杰平方-奥斯达克成立SiC战略合作中心 

近期，杰平方半导体（上海）有限公司与深圳奥斯达克电气技术有限公司正式签署碳化硅（SiC）战略合作协议，并共同为“杰平方-奥斯达克SiC战略合作中心”揭牌。

资料显示，奥斯达克作为车载电源及OBC领域的资深供应商，多年来深耕重卡、工程机械、新能源汽车等行业，为其提供优质的产品及系统级解决方案。

杰平方半导体聚焦车载芯片研发和生产，致力于满足中国汽车产业对国产自主车载芯片的旺盛需求，打造世界领先的碳化硅垂直整合晶圆厂的标杆企业，并结合芯片代工厂的既有优势，创新IDM+的商务模式，打造芯片供应链的核心竞争力。

通过本次合作，双方将持续扩展更深层次的合作，进一步巩固和发挥双方在器件及应用方面的优势。强强联合为功率半导体在车载电源、OBC应用领域奉献出完美商品和服务，共同为重卡、工程机械、新能源汽车等行业安全可靠运转提供坚实基础，增添安全保障。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/684OdohyqcoLBtmi3oIbrg

季丰电子携手林众电子、瞻芯电子共建功率半导体联合实验室 

近日，上海季丰电子股份有限公司（以下简称“季丰电子”）与上海林众电子科技有限公司（以下简称“林众电子”）、上海瞻芯电子科技股份有限公司（以下简称“瞻芯电子”）正式达成战略合作伙伴关系，三方将共建功率半导体领域联合实验室，聚焦技术研发、测试分析与产业服务，共同推动行业技术能力提升。

新成立的联合实验室将本着优势互补、全面合作、平等互利的原则，整合三家企业在半导体产业链中的资源与优势，重点开展：功率半导体（IGBT、SiC）的可靠性、失效分析、材料分析、产品测试、晶圆磨划等领域合作，为客户的产品研发和测试提供更加专业、完善的技术服务。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/XM5ewkmJtzTWxAVh8ONX_Q

企业动态/新产品/新技术

重投天科：6&8吋产品已推向市场 

5月6日，据深圳国资官微透露，深圳市重投天科半导体有限公司旗下高质量的6-8英寸碳化硅衬底和外延已推向市场。

重投天科总经理彭勇进一步透露，他们仅用了19个月实现产线顺利投产，并且在国内首次建立了完整的碳化硅材料生产线，突破了缺陷抑制、快速生长和籽晶处理等关键技术，形成了具有自主知识产权的完整技术路线。

值得关注的是，今年3月，重投天科与深重投集团旗下深圳市鹏进高科技有限公司等公司开展合作，将携手攻关基于8英寸外延片的功率器件工艺开发，外延片缺陷控制、厚度均匀性优化以及器件在新能源、电动汽车等领域的应用验证。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/34WY8xZG1PV2Yb_GVlmQqg

西湖仪器激光剥离效率与损耗双重突破 

图 4 西湖仪器单晶金刚石激光剥离

针对超硬材料金刚石为实现大尺寸金刚石的切割及成功剥离，使用传统的激光切割技术不仅成本高，且效率低下这一痛点，西湖仪器高度聚焦，为大尺寸金刚石衬底的高效率低损耗生产开发了一套可落地执行的解决方案，大幅降低材料损耗，缩短加工时间。以加工1英寸金刚石为例，该技术方案与传统激光切割技术的相关对比如下：

表 1 西湖仪器激光剥离与传统激光切割对比

西湖仪器成功解决了金刚石等新一代半导体材料的加工难题，能够提供兼容至14英寸大尺寸晶体的激光剥离解决方案，为新一代半导体的产业化落地和持续降本增效提供助力，为实现半导体产业链自主可控、推动"中国智造"向高端化迈进添砖加瓦。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/rHCL2ILLCAqcFyivoBcYb

山东力冠微电子装备推出12英寸液相法SiC长晶炉

山东力冠微电子装备有限公司继8英寸液相法SiC长晶炉量产后，正加速攻关12英寸液相法SiC长晶设备，依托自主研发的工艺体系，为我国半导体装备国产化进程注入新动能。

12英寸液相法设备的推出，标志着国产半导体装备在SiC领域实现从进口替代到自主创新的关键跨越。通过技术迭代与产业链协同，山东力冠正推动国产装备向高附加值环节延伸，为第三代半导体产业的规模化应用提供核心装备支撑。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/FKruI_fFXkwNPkqb4z01Mg

晶驰机电交付河北省首台12英寸碳化硅长晶设备

5月18日，河北晶驰机电有限公司举行河北省首台（套）12寸电阻法高纯碳化硅晶体生长炉交付仪式，该系列产品是晶驰机电入驻正定后自主完成研发生产的高端装备，将服务于国际知名半导体行业领军企业。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/dE-5pI7uFge03x7zE7_Lxg

镓仁半导体GARENSEMI荣获浙江省半导体行业“创新活力奖” 

2025年5月7日，浙江省半导体行业协会四届四次会员大会在嘉兴海宁隆重举行。杭州镓仁半导体凭借在氧化镓技术领域的突破性成就，于此次大会上荣获浙江省半导体行业“创新活力奖”。这一殊荣不仅是对镓仁半导体长期深耕氧化镓技术创新的鼓励，也体现了行业协会、合作伙伴及社会各界对镓仁半导体的支持与认可。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/_ARSdyPcyiu-vlJ_EV2hzg

河南科之诚：推出多项金刚石领域核心产品，引领行业突破 

2025年5月7日，科之诚宣布，其开发的基于金刚石衬底热管理的GaN单片集成功率放大器芯片（Diamond-GaN MMIC PA），全部验收通过，成功交付客户投入使用。该产品结合超高导热金刚石（>2000 W/mK）与宽禁带GaN的高功率特性，突破传统SiC/GaN器件的热管理瓶颈。在与传统钼铜热沉的对比中金刚石热沉实现了更高功率密度、更高效率、更低热阻、更长寿命，有效解决5G/6G通信、相控阵雷达及卫星载荷中的热管理难题，为客户提供更高功率、更高效、更可靠的射频前端解决方案。此次交付标志着科之诚在高端射频前端解决方案领域迈出关键一步。

此前，科之诚持续加大研发力度，近期集中推出毫米波微带滤波器、金刚石热管理基板、低频滤波器等多项创新产品。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/AH4Tt41IcxstbEg0pEajDg

基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET 

近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等领域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力电源、户储逆变器等领域的650V/40mΩ系列产品。其中650V/40mΩ系列产品通过将元胞间距微缩至4.0μm，在低电压等级下实现了更高性能表现。这一系列新品将显著提升终端应用的系统效率和高温性能，降低能量损耗，助力新能源领域实现更高效、更经济的功率器件解决方案。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/CCvuyhvkuUWweWPNnVBHNA

英飞凌推出SiC沟槽型超结（TSJ）技术 

英飞凌凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件（CoolMOS™）领域的创新优势，推出了SiC沟槽型超结（TSJ）技术。

英飞凌致力于通过SiC TSJ技术逐步扩展CoolSiC™产品组合。此次扩展涵盖多种封装形式，包括分立器件、模塑和框架封装模块，以及裸晶圆。扩展后的产品组合能够满足汽车和工业领域的广泛应用需求。

首批基于这项新技术的产品是适用于汽车牵引逆变器的IDPAK封装1200V功率器件。产品充分利用英飞凌在SiC及硅基超结技术（CoolMOS™）领域25年多的经验，集沟槽栅技术与超结设计优势于一身。该可扩展封装平台支持最高800kW功率，可实现高度灵活的系统配置。这项技术的主要优势之一是通过降低Ron*A多达40%以获得更高的功率密度，从而在相同功率等级下实现更紧凑的设计。此外，IDPAK封装的1200V SiC TSJ功率器件可在不牺牲短路能力的前提下，将主逆变器电流承载能力提升多达25%。

这一技术进步还为要求严苛的汽车和工业应用带来了整体系统性能提升，包括更低的能耗和散热要求，以及更高的可靠性。此外，该系统还降低了并联要求，从而简化了设计流程并降低了整体系统成本。凭借这些创新优势，基于IDPAK封装的SiC TSJ功率器件将助力汽车应用领域设计出更高效、更具成本效益的牵引逆变器。

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安世半导体推出行业领先的D2PAK-7封装车规级1200V碳化硅MOSFET 

Nexperia（安世半导体）近日宣布推出一系列高效耐用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分别为30、40和60 mΩ。这些器件(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D7A0-Q)拥有行业领先的品质因数(FoM)，此前已推出工业级版本，现正式获得AEC-Q101认证。这使该系列器件适用于诸多汽车应用场景，例如电动汽车(EV)的车载充电器(OBC)、牵引逆变器，以及DC-DC转换器、暖通空调系统(HVAC)等。这些器件采用愈发流行的D2PAK-7表面贴装封装，相比通孔器件，更适合自动化装配操作。

安世半导体介绍，RDS(on)会影响导通损耗，是SiC MOSFET的关键性能参数。然而，随着器件工作温度上升，标称值可能会增加100%以上，从而导致相当大的导通损耗。

与通孔技术相比，采用SMD封装技术时，温度稳定性显得尤为重要，因为器件需通过PCB散热。安世半导体认为这是制约当前众多SiC器件性能的关键因素，凭借创新工艺技术，确保新型SiC MOSFET具备行业领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度区间内，RDS(on)标称值仅增加38%。

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宇视科技：AI视频充电桩采用SiC 

5月12日，宇视科技在官微透露，他们在西安合作伙伴大会上发布了AI视频充电桩系列新品，并采用了碳化硅技术。

图 6 AI视频充电桩系列新品

据悉，新品涵盖7kW交流桩、120kW及以上直流一体机、兆瓦级超充堆，将在今年陆续上市，其中AI充电桩通过采用碳化硅技术，峰值效率高达97%，充电更高效节能；而AI视频分体充电堆已达兆瓦级超充功率，支持风冷/液冷终端灵活扩容，终端单枪最大电流可定制600A/800A/1000A，未来超充站建设将不再受功率限制。

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华为布局SiC超充赛道 

近期，华为数字能源正式发布兆瓦级全液冷超充解决方案，透露该方案搭载自主研发的SiC芯片，能量密度是传统硅基器件的3倍。

据悉，华为数字能源的兆瓦超充方案最大充电电流为2400安，最大功率达1.44兆瓦，每分钟可以补能约20度电，15分钟内即可补能350度电，补能效率提升近4倍。据悉，华为与顺丰、京东等物流企业已达成战略合作，首批将部署5000辆适配兆瓦超充的电动重卡，并积极推动瓦级充电协议制定。

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小米YU7强势登陆，搭载800V碳化硅高压平台 

5月22日，小米在其15周年战略新品发布会上正式发布了旗下首款中大型豪华高性能SUV——小米YU7。

据悉，小米YU7有三个版型--标准版、Pro版和Max版，依旧全系长续航。作为小米汽车的第二款车型，YU7系列凭借其全系搭载的800V碳化硅高压平台、高性能动力系统以及丰富的智能配置，成为了市场关注的焦点。

小米最新YU7系列全系采用了自研的800V碳化硅高压平台，这一平台技术的应用为车辆的续航和补能能力带来了显著提升。具体而言，800V碳化硅高压平台支持最高897V的峰值电压，最大充电倍率可达5.2C。这意味着YU7系列能够在15分钟内实现最快620km的补能，从10%充电至80%仅需12分钟。这一高效的充电能力不仅大幅缩短了用户的充电等待时间，也使得车辆的使用体验更加接近传统燃油车。

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丰田发布SiC插混车型 

5月21日，丰田汽车在日本东京举行了全新RAV4的全球首发仪式。新RAV4将提供2.5L油电混动（HEV）和2.5L插电式混动（PHEV）两种动力选择，同时新增GR Sport运动版本。

据透露，新RAV4插电混动车型率先导入第六代混动系统。该混动系统的核心就在于功率控制单元（PCU）首次采用碳化硅功率半导体，实现更小型化设计与更低开关损耗，使能效提升约10%，PCU体积可缩减达80%。

丰田汽车进一步介绍，在混动系统的优化设计以及SiC功率半导体特性的共同作用下，新一代RAV4插混车型的PCU能量控制单元功率密度提高19%，电池低温续航衰减减少26%，传动损耗降低，两驱版油耗低至4.2L/100km。

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杭州富加镓业“一键长晶”设备通过客户现场验收 

近日，杭州富加镓业科技有限公司自主研发的氧化镓 EFG 法设备完成现场验收并顺利下线。这款具备 “一键长晶” 功能的设备实现晶体生长智能化控制，标志着氧化镓单晶制备技术取得重大突破，为高性能半导体材料的规模化生产奠定坚实基础。

此次客户现场验收的顺利通过，不仅验证了设备技术的可靠性，更标志着 “一键长晶” 技术获得市场认可。富加镓业将以设备正式下线为新起点，持续推进工艺与装备协同创新，加速氧化镓材料产业化步伐，助力我国在高性能半导体领域实现新跨越。

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华芯晶电成功研制高质量氧化镓晶体 

青岛华芯晶电科技有限公司（以下简称华芯晶电）近日在氧化镓晶体生长技术领域取得重要进展，经权威机构检测，华芯晶电采用完全自主知识产权导模法生产的2英寸氧化镓单晶质量达到国际先进水平。

图 7 2英寸氧化镓单晶样品

通过持续优化生长装备性能并严格验证工艺稳定性，华芯晶电成功突破氧化镓导模法生长技术瓶颈。研发团队针对晶体生长过程中的温度梯度控制、杂质元素分布调控及生长速率优化等关键技术环节建立精准控制体系，显著改善了氧化镓易产生孪晶缺陷等行业共性难题。三方检测数据显示，华芯晶电研制的2英寸氧化镓晶体在位错密度控制及摇摆曲线半高宽等核心质量指标上均达到国际先进水平，其中位错密度为5440cm-²，摇摆曲线半高宽为71.33arcsec。

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浩思动力发布全球首搭氮化镓功率模块的微型增程器 

在新能源汽车市场竞争愈发激烈的当下，创新技术无疑是车企率先破局的利刃。日前，在混动、纯电领域均占据行业领先优势‌的浩思动力Horse Powertrain，带来全新Gemini微型增程器，再次刷新行业技术新高度。

Gemini微型增程器所采用的“冰刃”系列氮化镓功率模块，正是浩思动力基于第三代半导体技术自主研发出的全球首创、全新创新型功率模块封装解决方案。通过搭载行业领先的氮化镓芯片技术取代传统硅基芯片，并结合独创的CIPB（双面强化冷却嵌埋封装）工艺，Gemini微型增程器实现多维度技术协同和性能新突破，成功在创新技术领域再下一城。

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中科阿尔法推出氮化镓机器人关节模组 

5月17日，中科阿尔法科技有限公司发布了一款基于氮化镓（GaN）驱动的机器人关节模组（型号：ZK-RI 0--PRO--B），具有250Hz高频神经反射与5ms全链路时延，峰值扭矩<18Nm和长时间持续工作低温升特点，适用于工业机器人、具身机器人及特种宽温机器人设备等智能传动领域。

图 8 氮化镓（GaN）驱动的机器人关节模组

据介绍，该模组内置中科无线半导体自研AI ASIC动力系统芯片阵列GaN HEMT器件，可实现开关频率2MHz以上99.2%能量转换效率，同时支持10ns级快速开关特性，与传统Si基MOS管方案相比提升40%。

同时，上述模组独创即时通信接口，兼容15-60V宽压输入，采用自研曼彻斯特编码即时通信接口(可选配 CAN/485)，并行通信全链路时延低于5ms，满足ISO 13849-1 PLd级安全通信要求及“3D物理大模型”控制。

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京东方华灿GaN电力电子突破：消费级可靠性1000H突破，工业级JEDEC蓄势待发 

近期，京东方华灿650V 产品平台通过1000H可靠性认证。

JEDEC标准全覆盖：京东方华灿消费类GaN功率器件将全面进行JEDEC认证，以工业类标准覆盖消费类需求，为快充、适配器等场景提供“即插即用”的标准化解决方案。

全链条协同：京东方华灿作为氮化镓IDM企业，在多个角度协同促进竞争力进一步提升：

外延：京东方华灿基于自主研发的GaN外延结构，器件的横向BV从1400V提升至2000V+，有效提高器件可靠性裕量；并已经开启1200V GaN的产品技术储备。

工艺线：随着流片通量提高，制造稳定性，产品良率不断提升，进一步保障批量出货能力。

器件：1000H可靠性通过验证，继续进行JEDEC认证。此外已经针对现有平台开启产品组合完善布局；并已经启动下下一代平台的技术储备，以进一步缩小尺寸，提高单片产出，优化良率，提高产品竞争力。

测试能力：为全面覆盖市场上GaN功率器件的测试需求，京东方华灿建立了动态测试和可靠性实验室。实验室能够快速响应各类测试要求，提供高效的测试机理分析支持。

品质体系：通过加强研发质量和过程质量管控，我们已逐步形成从产品研发到量产交付的全过程质量保障能力。同时，通过检验流程、测试标准和硬件平台的建成与持续优化，我们确保向客户交付高质量产品。

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罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产 

5月27日，罗姆宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。

新产品是罗姆首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中，使用本产品可将器件与控制电路隔离，从而确保信号的安全传输。

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项目建设/投融资信息

长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线 

2025年5月28日上午，湖北省委书记、省人大常委会主任王忠林一行莅临长飞先进武汉基地，察看碳化硅晶圆生产线，并见证基地首片晶圆生产下线。

现场，随着首片晶圆从生产车间成功下线，总投资超200亿元的长飞先进武汉基地正式投产。这不仅是长飞先进发展历程中一个重要里程碑，更意味着年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地将全面进入量产倒计时。

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中低压功率器件产业化（株洲）建设项目封顶 

5月6日，中低压功率器件产业化（株洲）建设项目举行封顶仪式。

据此前报道，中低压功率器件产业化（株洲）建设项目总投资约52.93亿元，将以时代电气控股子公司株洲中车时代半导体有限公司为主体实施。产品主要用于新能源发电及工业控制、家电领域。项目建成达产后，可新增年产36万片芯片产能，将有效提升时代电气的中低压组件基材产能，满足市场需求，推进相关产品的国产化，进一步巩固提升企业市场地位，增强核心竞争力。

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浙江瀚薪碳化硅封测项目封顶

近日，瀚薪科技迎来重要时刻，其全资子公司浙江瀚薪芯昊半导体有限公司在丽水投建的“新建碳化硅封测建设项目”主体结构正式封顶，这一里程碑标志着项目从规划迈向实质建设新阶段。

该项目规模宏大，总投资达12亿元人民币，足见瀚薪科技对其重视程度以及对碳化硅封测市场前景的坚定信心。项目占地88亩，一期工程占地42.14亩，为后续生产运营和产业拓展提供了充足空间。按规划，2026年6月项目将投产运营，目前建设团队正有条不紊地进行设备安装调试、人员培训等筹备工作，力求投产顺利。

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茂矽电子：新建碳化硅晶圆线 

近日，据行业媒体消息，中国台湾茂矽电子股份有限公司（以下简称“茂矽电子”）预计于今年6月底完成碳化硅制程产线建设，并计划于下半年开启试量产。这一产线的建成将使茂矽电子每月新增3000片的碳化硅晶圆产能，未来还将根据市场需求持续购置相关设备，逐步扩大生产规模。

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扬杰科技SiC车规级模块封装项目开工 

2025年5月9日上午，扬杰科技SiC车规级功率半导体模块封装项目正式开工。本项目计划总投资10亿元，占地62亩，规划建筑面积约11.2万平米。项目聚焦车规级框架式、塑封式IGBT模块，SiC MOSFET模块等第三代半导体产品，对标国际标杆，产品技术指标直追国际领先水平，可实现进口替代。项目全面达产后，预计可实现年开票销售10亿元，税收3000万元，为地方经济发展注入强劲动力。

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奕能碳化硅模组生产基地项目进入主体施工阶段 

据重庆市发展改革委5月14日消息，位于重庆两江新区高新技术产业园的重庆奕能碳化硅模组生产基地项目已正式进入主体施工阶段。该项目由重庆奕能电子有限公司负责建设，其主要股东为北京奕斯伟科技集团有限公司，占地面积约300亩，总投资达18亿元人民币。

项目规划分三期建设。一期工程主要建设碳化硅晶圆制造车间、封装测试中心及研发实验室，设计年产能为12万片6英寸碳化硅晶圆。项目规划的月产能为73万个碳化硅模组，产品将广泛应用于电动汽车、新能源、工业等领域。

该项目采用国际领先的物理气相传输法（PVT）晶体生长技术，晶片良品率目标设定为85%，较行业平均水平提升15个百分点。此外，项目还引入了掺杂钪元素等创新技术，以提升碳化硅晶格稳定性，使器件击穿场强达到3.5MV/cm。

项目自2024年12月5日取得建设用地规划许可证以来进展顺利，于2025年1月正式开工。目前，主体施工阶段的推进标志着项目正按计划稳步实施。预计项目达产后，年产值将超过80亿元，并有望带动本地配套企业形成50亿元规模的产业集群。

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华润微GaN亿颗芯片庆典暨外延项目通线 

5月16日，华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式。润新微电子外延生产基地的建成，标志着华润微电子在氮化镓产线布局上实现新的关键里程碑。未来，华润微电子将依托该生产基地，结合自身在氮化镓晶圆制造及封测领域的技术优势，通过共享市场销售网络、提供资金保障等措施，助力润新微电子成为国内氮化镓细分领域领军企业。

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拓诺稀科技氧化镓外延项目即将投产 

近日，由香港科技大学霍英东研究院与香港科技大学（广州）联合孵化的“拓诺稀科技”迎来里程碑时刻——其位于南沙的首个先进生产厂房正式启用！该厂房配备高标准洁净室设施和完善的生产研发配套，具备批量化外延制备能力，实现 “从实验室走向产业”，为大规模推进氧化镓外延产品走向市场奠定了坚实基础。

拓诺稀科技生产厂房位于粤港澳大湾区“黄金内湾”广州南沙，占地约500平方米，集研发、测试、制造、工艺支持于一体。设有MOCVD工艺区和离子注入室、专用的气体储存间、固废处理间，全面保障高科技产品制造的稳定与安全。

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多家企业融资信息: 

米格实验室完成近亿元战略融资 

近日，国内领先的新材料与半导体科研检测平台——北京聚睿众邦科技有限公司（品牌：米格实验室）正式宣布完成近亿元战略融资。

本轮融资由中国电子零度资本管理的霸州光谷产业发展基金、成都科创投管理的成都梧桐中阁股权投资基金以及顺禧基金管理的北京怀柔科学城科技创新投资基金联合投资。

资金将用于提升核心技术能力、完善全国实验室网络布局、深化国际SEMI认证体系及推动半导体检测设备国产化进程。

臻驱科技完成6亿元融资 

5月20日，臻驱科技6亿元银团贷款签约仪式在上海康桥总部成功举行。

此次银团贷款由上海科创银行担任独家委任安排牵头及簿记行，并协同中国银行上海自贸试验区分行、浦发银行虹桥支行、兴业银行上海张江支行、浙商银行上海分行、北京银行上海分行、南京银行上海分行、宁波通商银行上海分行、盛京银行上海分行、上海农商银行临港新片区分行9家银行共同完成资金投放。

基本半导体提交上市申请 

5月27日，深圳基本半导体股份有限公司正式向港交所提交了A1申请表，开启赴港上市之路，有望成为中国碳化硅芯片上市第一股。中信证券、国金证券、中银国际担任联席保荐人。

芯源新材料完成C轮融资，备战IPO 

2025年5月29日，深圳芯源新材料有限公司（以下简称“芯源新材料”）完成C轮融资，由北京小米智造股权投资基金合伙企业(有限合伙)独家投资。本轮增资将重点用于碳化硅模块封装材料的精进研发与产业化布局，标志着芯源新材料在第三代半导体电子互连材料领域迈入新阶段。

 

信息来源：

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宽禁带科技论

电子科大罗小蓉教授团队：p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究

近日，电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉教授团队联合华润微电子(重庆)有限公司，在学术期刊IEEE Electron Device Letters发表了一篇名为Experimental Study of Heavy Ion Irradiation Hardness for p-GaN HEMTs Under Off-state with Negative Gate Voltage 的学术论文。

本文对100-V增强型p-GaN栅HEMT的单粒子效应进行研究，并通过钽（Ta）离子辐照实验第一次验证了对阻断态器件施加负栅压可增强抗单粒子效应的能力。与处于零栅压阻断态的对照组相比，负栅压阻断态下器件单粒子瞬态电流可明显下降超过一个数量级，且呈现更高的单粒子烧毁电压（VSEB）。此外，在经历过相同的辐照剂量后，处于负栅压阻断态和处于零栅压阻断态的p-GaN栅HEMT相比，其栅电容CG、阈值电压Vth与关态泄漏电流IDSS等电学特性的退化幅度改善明显，展现出良好的辐照鲁棒性。通过结合TCAD仿真工具进一步揭示了相关机理，即施加负栅压能有效降低辐照产生的空穴载流子密度，从而降低了单粒子瞬态电流；且辐照在肖特基结、AlGaN/GaN界面以及缓冲层内产生的类受主陷阱则可分别通过CG、Vth与IDSS的退化情况来表征。

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北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件

近日，北京大学魏进/王茂俊/沈波团队，在微电子器件领域权威学术期刊IEEE Electron Device Letters发表名为Split-p-GaN Gate HEMT With Suppressed Negative Vth Shift and Enhanced Robustness Against False Turn-On 的学术论文，成功研制无阈值电压负漂的650V/10A增强型GaN器件。北京大学博士研究生劳云鸿为论文第一作者，魏进教授、王茂俊教授、沈波教授为论文共同通讯作者。

论文提出一种新型的栅极结构，Split-p-GaN栅HEMT（SPG-HEMT），能有效抑制漏极偏压导致的Vth负漂，大幅增强了器件的误开启鲁棒性。这项技术有希望推动肖特基型p-GaN栅HEMT在工业/汽车等领域的应用。

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