宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（七月）

以下文章来源于宽禁带半导体技术创新联盟，作者IAWBS

　　为助力宽禁带半导体产业生态圈建设，推动技术创新与资源高效对接，宽禁带联盟特别推出《产业信息简报》，本刊聚焦政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板块，为行业同仁打造一个全面、权威、高效的信息交流平台。每月更新，持续为行业赋能。

　　因篇幅限制，本期呈现内容为精选版本。完整版简报已同步发送至联盟成员单位邮箱，如您需获取完整版内容或有技术突破、项目进展、合作需求或行业活动需推广传播，欢迎与我们联系。让我们携手推进宽禁带半导体产业高质量发展！

【投稿/合作请联系：lianmeng@iawbs.com】

 目 录 

政策资讯

1	四部门：加快高压碳化硅模块、主控芯片等核心器件国产化替代
2	深圳10条举措支持半导体与集成电路产业发展
3	单晶金刚石磨粒被纳入安徽省首批次新材料研制需求目录

技术前沿

1	西安理工大学＆西安电子科技大学---集成金刚石散热层的Ga₂O₃器件的精确散热分析
2	微电子所在GaN外延位错传导载流子及其导致功率电子器件可靠性退化机制取得重要进展
3	苏州纳米所研制出氮化镓光子晶体面发射激光器
4	中科大团队在GaN肖特基势垒二极管领域取得新突破
5	北大唐宁、沈波团队与合作者利用深紫外光谱在原子级薄六方氮化硼能带结构研究方面取得重要进展
6	武大、西电联合攻关在跨材料、跨功能的宽禁带半导体异构集成领域取得突破性进展
7	哈尔滨工业大学：高温层压法制备高导热、高稳定金刚石/铜复合材料
8	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所宽禁带氮化物缺陷功能化新突破
9	慕德微纳碳化硅光学镜片突破，为AR眼镜散热提供新解
10	Science：加州大学负电容效应突破GaN HEMT肖特基栅极瓶颈
11	南京大学联合团队突破外延衬底限制，实现非晶衬底上高质量半导体薄膜外延生长

联盟动态

1	2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛圆满落幕
2	22025企创融通汇主题解决方案论证会暨宽禁带半导体硬科技路演活动成功举办

企业合作

1	纳微与台湾力积电战略合作，开启8英寸GaN晶圆量产计划
2	Silvaco与Fraunhofer ISIT就GaN芯片设计展开合作
3	英诺赛科：与联合汽车电子达成GaN合作
4	苏州固锝与合肥能源研究院联合实验室揭牌
5	晶能与中车时代半导体签署战略合作协议
6	全球半导体硅片巨头Siltronic、IKZ等强强联合推进4英寸AIN单晶衬底产业化
7	微芯科技与台达电子合作开发碳化硅电源解决方案
8	瞻芯电子与中导光电达成战略合作 共推半导体国产替代进程
9	安森美+石溪大学：推进SiC等半导体材料的研究
10	安森美x舍弗勒 强强联合

企业动态/新产品/新技术

1	北方华创两款化合物外延设备通过龙头客户验收
2	西湖仪器攻克超薄片单晶金刚石剥离技术
3	深圳平湖实验室在SiC激光剥离技术领域取得新进展，性能指标达到国际先进水平
4	深圳平湖实验室GaN课题组5项研究成果亮相第15届国际氮化物半导体会议ICNS-15
5	纳设智能全自动双腔8英寸碳化硅外延设备交付
6	河南联合精密材料主持制定全球纳米金刚石应用新标准正式发布
7	华林嘉业：碳化硅专用清洗设备交付
8	广州粤升8英寸SiC外延设备完成研发并出货
9	山东力冠升级PVT设备，引领8-12英寸碳化硅晶圆高效量产
10	武汉大学成立集成电路学院，中科院院士刘胜任院长
11	DTI收购AKHAN Semiconductor：金刚石半导体产业化按下快进键
12	英飞凌：今年将提供12英寸GaN
13	英诺赛科：发布3款GaN新品
14	瑞萨电子：推出3款新型高压650V GaN FET
15	南京芯干线：推出350WGaN电源模块
16	镓未来：GaN器件被联想采用
17	氮矽科技：发布增强型硅基氮化镓晶体管
18	中科半导体发布氮化镓机器人智能快充芯片
19	欣锐科技：车载电源新品导入GaN
20	广东致能报告全球首创硅基垂直GaN HEMT功率器件技术
21	Wolfspeed新推出1700V碳化硅MOSFET系列
22	三菱宣布推出面向5G-Advanced的GaN功率放大器模块
23	12款SiC车型上新，价格进一步下探
24	镓创未来半导体实现碳化硅衬底氧化镓外延核心指标全球领先
25	华为海思入局SiC领域，推出两款SiC器件
26	海信功率半导体发布自主研发的国内首款SDIP-26封装系列Full SiC IPM模块产品
27	瞻芯电子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用

项目建设/投融资信息

1	至信微电子：设备即将进场，预计明年初实现SiC模块投产

 

2	氢基新能科技集团第四代半导体金刚石项目动工
3	Coherent位于越南的SiC工厂正式落成

 

4	英飞凌在马投资300亿 建全球最大碳化硅半导体厂
5	8个集成电路项目集中签约重庆

多家企业投融资信息：

1	天域半导体再次递交港股上市申请
2	米格实验室A1轮融资，携手京津冀国家技术创新中心促进成果转化
3	飓芯科技获3亿元B轮融资

 

4	芯迈半导体港交所IPO
5	钜芯科技北交所IPO获受理
6	至信微电子：完成战略轮近亿元融资
7	忱芯科技：获得江苏首单AIC股权基金投资
8	研微半导体：完成A轮首批数亿元融资
9	谱析光晶完成超亿元B轮及Pre-B+轮融资
10	芯联集成收购芯联越州
11	芯德半导体获近4亿元融资
12	中晶微电半导体有限公司再获融资
13	珂玛科技收购苏州铠欣
14	山西国科完成A轮亿元融资

政策资讯

四部门：加快高压碳化硅模块、主控芯片等核心器件国产化替代 

近日，国家发展改革委办公厅联合多部门发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》。明确提出，到2027年底，力争全国范围内大功率充电设施超过10万台，服务品质和技术应用实现迭代升级。引导大功率充电设施有序建设，强化大功率充电设施运营管理，加强大功率充电设施安全管理，完善大功率充电设施技术标准体系等。

其中提出，充电运营企业要加强充电装备技术升级，提高大功率充电设施的运行效率和使用寿命。鼓励对分体式设备采用大功率充电优先的功率分配策略。加快高压碳化硅模块、主控芯片等核心器件国产化替代，推动涵盖零部件、系统集成、运营服务的充电产业链整体升级。面向电动重卡、电动船舶、电动飞机等大容量、高倍率动力电池应用场景，开展单枪兆瓦级充电技术研究与试点应用。应用电力智能管理、无人机巡检、充电安全预警、智慧消防等技术，加强大功率充电站智能化安全管理，提升充电设施智能运维水平。

信息来源：

https://mp.weixin.qq.com/s/-6DOm59ZWUj2lY29UNzLCg

深圳10条举措支持半导体与集成电路产业发展 

近日，深圳市发展和改革委员会宣布出台《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（下称《若干措施》）。其中提出，要推进深圳市半导体与集成电路产业重点突破和整体提升，构建完善产业生态，增强产业核心竞争力。同时，设立总规模50亿元的“赛米产业私募基金。

据悉，《若干措施》从高端芯片产品突破、加强芯片设计流片支持、加快EDA工具推广应用、突破核心设备及配套零部件、突破关键制造封装材料、提升高端封装测试水平、加速化合物半导体成熟等方面提出了10条具体支持举措。

《若干措施》提出，要充分发挥市场配置资源的决定性作用和企业的市场主体地位，以支持研发、专项资助、推广应用等普惠性政策引导产业链上下游对接，推动形成稳定高效的协同发展机制。在关键核心领域发挥新型举国体制优势，强化政府引导，不断激发市场活力和社会创造力，加大科技创新投入，把政府、市场、社会的作用有机结合起来。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/4qmmhN_V78roFD4ntMLVSQ

单晶金刚石磨粒被纳入安徽省首批次新材料研制需求目录 

近日，安徽省工业和信息化厅公布“安徽省首批次新材料研制需求和推广应用指导目录（2025年版）”的通知，其中，“单晶金刚石磨粒”被纳入安徽省首批次新材料研制需求目录。

研制需求目录中显示，“单晶金刚石磨粒”的主要性能指标为：粒度：20-25µm 800#-1000#（目）；D50（中位径）：20-25µm；纯度≥99.9%；硬度：摩氏硬度≥10，显微硬度≥10000 kg/mm²；韧性：冲击韧性TI值≥85%。

通知指出，企业可根据市场需求、先进性等研制优于需求目录具体性能的材料，也可对标工业和信息化部《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024年版）》研发技术水平达到国内领先及以上的新材料。鼓励优先选用《安徽省首批次新材料推广应用指导目录（2025年版）》中的新材料产品，进一步加大推广应用力度，并在实践中推陈出新，推动新材料性能持续改进和更新迭代。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/6eyICd3mPlyCgBoCJMgJ1w

 技术前沿 

西安理工大学＆西安电子科技大学---集成金刚石散热层的Ga₂O₃器件的精确散热分析 

由西安理工大学与西安电子科技大学的研究团队在学术期刊Materials Today Communications发布了一篇名为Precise thermal dissipation of Ga2O3 devices integrated with diamond heat spreading layer（集成金刚石散热层的 Ga2O3器件的精确散热分析）的文章。

β-Ga2O3在高压和射频器件中具有广阔应用前景，但其较低热导率导致器件温度过高。与高热导率材料（如金刚石）的集成以及结构优化是可能的解决方案。然而，仿真工作中通常对 Ga2O3厚度和体热导率做出简化假设。本研究采用 3D 有限元热分析，探讨 β-Ga2O3/金刚石冷却策略，考虑了 Ga2O3和金刚石热导率的各向异性及其与厚度依赖性。分析了层厚度、Ga2O3/金刚石界面热导、功率密度以及双面金刚石热散热层对结温的影响。结果表明，Ga2O3热导率的各向异性对准确预测温度至关重要，而金刚石材料的各向异性可忽略不计。在 5% 的误差范围内，仅使用金刚石衬底时，Ga2O3热导率的厚度依赖性可忽略不计；而在双面金刚石冷却条件下，Ga2O3的厚度依赖性和各向异性均可忽略。本研究有助于 Ga2O3/金刚石器件的热管理及准确温度预测。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/Baf3k-vgGm_Z5crad7PvKA

微电子所在GaN外延位错传导载流子及其导致功率电子器件可靠性退化机制取得重要进展 

中国科学院微电子研究所GaN基功率电子器件研发团队首次澄清了GaN异质外延中螺位错（open-core）和刃位错对GaN基功率电子器件的关键可靠性-动态导通电阻退化的影响机理，构建了“双通道位错输运”模型，明确了GaN外延层中螺位错和刃位错可分别充当电子与空穴的独立传输路径，对器件漏电和动态电阻的退化产生相反的影响。

团队基于课题组前期开发的创新模式从原子层级明确了螺位错在其开核（open-core）侧壁诱导形成纵向连通的超浅能级电子态，同时在位错核心区域形成电子势阱，形成贯穿外延层的“电子通道”；而刃位错则在其周围诱导形成连续分布的空穴陷阱，这些陷阱与碳掺杂GaN缓冲层中的CN型缺陷耦合，形成“空穴通道”。团队在650-V级GaN基HEMT器件上进行了电学测试验证，发现即便总位错密度较低，螺位错主导的器件在高压开关应力作用下，其动态导通电阻退化幅度显著高于刃位错主导器件。该现象印证了螺位错易导致电子泄漏、电荷堆积与电流崩塌，而刃位错辅助的空穴再分布则有助于缓解缓冲层电子积累，从而减轻动态性能衰退。研究提示，通过外延工艺调控螺位错与刃位错的比例，有望在保持整体晶体质量的前提下，实现GaN功率器件在漏电与动态可靠性之间的最优平衡。该成果为GaN器件中的“缺陷工程”开辟了新思路，创新提出将位错视为可工程化的一维载流子管道，而非单纯的有害结构缺陷。该策略有望推广至其他半导体材料体系，为构建“位错电子学”理论体系奠定基础。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/tH5KZqROAJBpn4HjR1Fiag

苏州纳米所研制出氮化镓光子晶体面发射激光器 

依托中国科学院苏州纳米所建设的半导体显示材料与芯片重点实验室与苏州实验室合作，近日研制出GaN基光子晶体面发射激光器，并实现了室温电注入激射。

研究团队首先仿真设计了GaN基PCSEL器件结构，随后外延生长了高质量的GaN基激光器材料，并开发了低损伤的光子晶体刻蚀与钝化工艺，制备了GaN基PCSEL器件，光子晶体区域尺寸为400×400 μm2（图1）。通过角分辨光谱测量GaN基PCSEL在Γ-X方向上的能带结构（图2），可以观察到：注入电流较低时，能带结构清晰，辐射模式C的强度最大；随着电流增大，非辐射模式B的强度显著增强，直至激射。通过测量能带，可以确定器件是基模B的激射，阈值电流附近的模式半高宽约为0.05nm。

图1  (a) GaN基PCSEL的结构示意图，(b)光泵测试得到的光子晶体能带结构，光子晶体的(c)表面和(d)截面扫描电子显微镜图。

图2  (a-e)不同注入电流下测量得到的GaN基PCSEL Γ-X方向的能带结构，(f) GaN基PCSEL峰值波长与光谱半高宽随注入电流的变化曲线。

　　基于上述工作，研究团队实现了GaN基光子晶体面发射激光器的室温电注入激射（图3），激射波长约为415 nm，阈值电流为21.96 A，对应阈值电流密度约为13.7 kA/cm2，峰值输出功率约为170 mW。下一步拟采用高质量的GaN单晶衬底，设计新型的GaN基PCSEL结构，并突破PCSEL器件制备与封装散热技术，实现高功率（10~100 W）单模激光输出。

图3. GaN基PCSEL(a)不同注入电流下的电致发光光谱、(b)输出光功率-电流-电压曲线、(c)远场光斑，GaN基PCSEL激射(d)前、(e)后的近场图像。

信息来源：

https://mp.weixin.qq.com/s/VKSvXcL_5b6PkEP0d9_6rQ

中科大团队在GaN肖特基势垒二极管领域取得新突破 

中国科学技术大学 Hua Qin 团队提出了一种基于具有高迁移率二维电子气的氮化镓肖特基势垒二极管的可编程太赫兹超表面 (GaNMS)。作者设计并制作了一个32×25单元阵列。每个单元用作直接THz移相器，动态调整结电容，从而实现0.32 THz下0°至210°的连续相位调制，平均相位误差为1.8°，调制速度超过200 MHz，平均插入损耗约为5 dB。为了降低阵列级非均匀性，引入了一种基于差分进化的优化算法，该算法在模拟和数字模式下均可实现稳健的±45°光束扫描，主瓣增益分别为18.5 dBi和16 dBi。此外，还演示了一个基于GaNMS的集成传感和通信系统，验证了其在下一代THz应用中的潜力。作者所提出的GaNMS连接了器件级相位可调性和系统级功能性，从而实现了实用化的THz技术。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/OxJfCBjhYmElYDnYGDilLA

北大唐宁、沈波团队与合作者利用深紫外光谱在原子级薄六方氮化硼能带结构研究方面取得重要进展 

近日，北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理全国重点实验室、纳光电子前沿科学中心唐宁、沈波团队和北京理工大学物理学院段俊熙团队合作在原子级薄六方氮化硼的能带结构研究上取得重要进展。通过深紫外共振激发证明了原子级薄六方氮化硼（h-BN）是一种间接带隙半导体，从根本上纠正了长期以来科学界对于单层氮化硼是直接带隙半导体的普遍误解。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/9tMbGRG74qnENZieTwqDag

武大、西电联合攻关在跨材料、跨功能的宽禁带半导体异构集成领域取得突破性进展 

近日，由武大与西电开展联合攻关，在高质量氮化物异构集成领域取得突破性进展，相关成果2025年7月6日以“Van der Waals integration of 4-inch single-crystalline III-nitride semiconductors为题在线发表于国际顶尖期刊《Advanced Materials》。

本研究创新性地提出了一种范德华极化工程异质集成方法（polarization-engineered vdW integration strategy），通过精准调控外延衬底的电子极化特性，通过二维材料的缺陷和通孔将促进准范德华外延生长形成可以与外延产物结合的不饱和悬挂键，清晰的阐述了在二维材料上范德华外延III族氮化物半导体的关键核心机理，实现了III族氮化物半导体和衬底之间的电荷转移。

在二维材料上实现了4英寸可剥离的单晶GaN层异质外延，并且当外延层厚度减小到400 nm时，位错密度低至3.49×108cm-2，基于该技术制备的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）展示出2080.7 cm2V-1s-1的超高迁移率，高电子迁移率晶体管（HEMT）展示出790 mA/mm的高饱和电流密度和1.11×10⁻⁶ mA/mm的低截止电流。该突破性成果为氮化物半导体的范德华异质集成提供了全新的理论认知，解决了氮化物宽禁带半导体范德华外延的关键难题，实现了高质量超薄氮化物异质结构材料，为高性能宽禁带半导体器件的跨材料、跨功能的大面积异构集成扫清了关键障碍。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/b6URJkWe8tikfoFC5QS_TA

哈尔滨工业大学：高温层压法制备高导热、高稳定金刚石/铜复合材料 

哈尔滨工业大学朱嘉琦团队提出的高温层压工艺可实现极高的尺寸精度。具体而言，采用钨涂层金刚石和铜片作为原料，将钨涂层金刚石置于铜片上，经层压后进行热压。该工艺利用铜金属在高温下具有高塑性和低流动应力的特性，使铜填充金刚石颗粒间的孔隙并使板材致密化。与传统热压工艺相比，该工艺操作更简便且制造成本更低。该工艺可解决表面光洁度差、尺寸精度低及性能问题。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/MnsiKtNUcriOJvEf112FXQ

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所宽禁带氮化物缺陷功能化新突破 

近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所团队，在宽禁带氮化物载流子动力学研究方面取得重要进展，提出通过界面缺陷工程加速电子冷却的新策略，有效解决了长期困扰氮化物紫外发光二极管（LED）效率的载流子不对称注入问题。团队基于对氮化物能带结构和载流子动力学的分析，首次提出通过调控GaN/AlN量子阱界面的氮空位缺陷，实现对电子冷却速率的有效增强。这些缺陷能级不但作为“台阶”提升了导带连续性，而且能够显著加强电子-声子相互作用，从而加速电子向导带底冷却。第一性原理计算表明，该策略可使电子冷却时间缩短超过一个数量级，有效实现与空穴冷却速率的动态平衡，大幅提升发光效率。与传统EBL结构相比，该方法无需额外结构设计，即可实现电子动力学的精准调控。该研究还进一步拓展了半导体缺陷物理的研究边界，系统验证了缺陷在调控器件性能方面的“有益性”作用，颠覆了缺陷的传统认知，为新一代电子与光电子器件的缺陷工程设计提供了理论支撑和新思路。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/1-SdHlXCMbH_bsXS2W2vgw

慕德微纳碳化硅光学镜片突破，为AR眼镜散热提供新解 

近日，西湖大学和慕德微纳团队发布了题为《用于电子设备散热的高导热透明辐射散热器》的技术文献，提出了一种基于碳化硅的智能眼镜光学镜片，来实现高效的热管理，可使微型投影装置（智能眼镜中的主要发热组件）的表面温度从54.3°C降低到29.1°C。

该设计采用两个关键部件：一是导热性能更强的碳化硅光学镜片；二是SiO2 /TiO2 /ITO多层结构。值得注意的是，这种新型散热器只需沉积一层微米厚的薄膜，而无需任何外部组件即可提供显著的散热效果，该团队认为，该技术将成为有前途的可穿戴设备热管理解决方案。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/G9tNo32cBJGtAYs_nCZW5A

Science：加州大学负电容效应突破GaN HEMT肖特基栅极瓶颈 

本文由加州大学伯克利分校 Sayeef Salahuddin 教授团队与斯坦福大学 Srabanti Chowdhury 教授团队合作完成。研究提出在 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）中引入铁电负电容栅极介质（HfO₂-ZrO₂），一举打破了传统肖特基栅极结构在漏电流与导电能力之间的权衡限制，实现了同时提升通态电流与降低栅极漏电流的器件性能优化。该工作首次展示了在不牺牲输出电流的前提下，通过负电容效应有效抑制栅极漏电流，为基于二维电子气（2DEG）的宽禁带功率器件设计提供了全新思路。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/35vnTrWVbMK-k5LDEpkj8w

南京大学联合团队突破外延衬底限制，实现非晶衬底上高质量半导体薄膜外延生长 

近日，南京大学庄喆、刘斌、张荣团队联合沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）、合肥工业大学等单位，成功开发出一种在非晶衬底（如二氧化硅SiO₂、石英）上实现高质量单晶III族氮化物半导体薄膜外延生长新技术，提出了创新性的“化学键转换”策略，将范德华键结合的二硫化钼（MoS2）材料转化为共价键结合的氮化钼（MoN）材料，转换后的MoN晶格取向完全继承了单晶MoS2的薄膜特性。利用这一新型MoN作为缓冲层，在非晶SiO2衬底上成功实现了取向高度一致的晶圆级单晶GaN薄膜外延生长。该研究成果突破了半导体材料外延对单晶衬底的依赖，为未来材料和器件的异质异构集成开辟了创新技术路径。相关研究成果近期以“Two-dimensional buffer breaks substrate limit in Ⅲ-nitrides epitaxy”为题发表于《Science Advances》期刊。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/qv-x6ADIi7XpYkmQiEUyJA

联盟动态

2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛圆满落幕 

2025年7月15日-17日，2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛在安徽·芜湖新华联丽景酒店盛大召开。本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟与西安电子科技大学芜湖研究院联合主办。

会议以“破局2025，解锁应用新市场”为主题，汇聚了来自宽禁带半导体产业链耗材、设备、材料、外延、器件到应用等上中下游的逾400位行业精英、近200家知名企业。与会各方聚焦产业链协同发展的关键路径、核心技术的突破性进展以及新兴应用市场的巨大潜力，展开了富有成效的交流与碰撞，全方位勾勒出产业升级的破局之道，为产业未来贡献了集体智慧，充分彰显了产业链协同创新的活力，为宽禁带半导体开拓新市场注入强劲动能。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/0UE0qd_XGPuZsheh8E2_pQ

2025企创融通汇主题解决方案论证会暨宽禁带半导体硬科技路演活动成功举办 

7月15日，“芯机遇促发展 解锁应用新市场”—— 2025企创融通汇主题解决方案论证会暨宽禁带半导体硬科技路演活动在安徽芜湖新华联丽景酒店成功举办。本次活动由中国科协企业创新服务中心主办，中关村产业技术联盟联合会、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟等多家单位承办。

本次活动共有6个宽禁带半导体领域优质项目参与路演：芯塔碳化硅 - 新能源核心器件（安徽芯塔电子）、超宽禁带半导体材料氧化镓外延片研发与产业化（镓创未来）、宽禁带半导体晶圆减薄机研发及产业化（芯丰精密）、碳化硅、金刚石、氮化铝半导体材料核心装备一体化解决方案（晶驰机电）、高纯碳粉以及碳基复合材料应用及介绍（天择先进）、从晶圆到晶锭：多模态光场检测与三维重构，双擎驱动化合物半导体/AR光学应用破局（澈芯半导体）。本次路演活动共吸引超100位产业链权威专家、领军企业决策者、一线投资机构代表及行业精英参与。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/0DMij3h1lZiJIiSYb6PEnA

企业合作

纳微与台湾力积电战略合作，开启8英寸GaN晶圆量产计划

7月1日，纳微半导体宣布他们已与力积电建立战略合作伙伴关系，正式启动并持续推进8英寸硅基氮化镓技术生产。

文章透露，纳微半导体预计将使用位于台湾新竹竹南科学园区的力积电8B厂的8英寸产线。该工厂自2019年起投入运营，支持从微型LED到射频氮化镓器件等多种高产能氮化镓制造流程。

接下来，力积电将为纳微半导体生产100V至650V的氮化镓产品组合，以满足48V基础设施（包括超大规模AI数据中心和电动汽车）对氮化镓日益增长的需求。首批器件预计于2025年第四季度完成认证。其中，100V系列计划于2026年上半年在力积电率先投产，而650V器件将在未来12-24个月内从纳微现有的供应商台积电逐步转由力积电代工。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/DYwatUW9JSJGhDC6OggtyA

Silvaco与Fraunhofer ISIT就GaN芯片设计展开合作 

EDA公司Silvaco宣布与弗劳恩霍夫硅技术研究所（Fraunhofer ISIT）开展研发合作，以加速新一代GaN器件的开发。

Fraunhofer ISIT的电力电子部门（为电力电子及传感器系统开发原型）将采用Silvaco的设计工具（包括Victory TCAD平台、Utmost IV和SmartSpice）为器件开发执行设计工艺协同优化（DTCO）。

双方的想法是，Silvaco的DTCO平台将加速Fraunhofer ISIT后CMOS工艺环境中的原型开发，该环境旨在探索8英寸晶圆上GaN及MEMS技术的新兴工艺。

此外，Silvaco的Victory实验设计（DOE）解决方案将简化开发工作流程，并在评估新型工艺模块和新兴器件概念时支持快速创新。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/jg7e4AS9dbU4ybfI7DtjnA

英诺赛科：与联合汽车电子达成GaN合作 

7月30日，英诺赛科在官微透露，他们已与联合汽车电子成立联合实验室，将利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方还在联合电子（苏州研发中心）举行了联合实验室揭幕仪式。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/oF9qTcWtMXzbGRmZMQ4H4g

苏州固锝与合肥能源研究院联合实验室揭牌 

近期，苏州固锝电子股份有限公司（以下简称“苏州固锝”）与合肥综合性国家科学中心能源研究院携手举行“中大功率半导体先进封装设计与工艺研发联合实验室”签约暨揭牌仪式，正式开启双方在关键技术领域的深度合作。

资料显示，苏州固锝是国内功率器件制造商，拥有分立半导体芯片设计、晶圆制造、封装测试、销售与服务的垂直一体化IDM产业模式，产品涵盖各类功率整流管、保护器件、小信号、桥式整流器、MOSFET、IGBT单管及模块、SiC器件等，50多个系列、7000多种产品，广泛应用于消费类电子、5G通讯、安防监控、工业控制、光伏能源、AI人工智能、汽车电子等诸多领域。  

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/o66fHRu7beoZ7ajFJFsqWw

晶能与中车时代半导体签署战略合作协议 

浙江晶能微电子有限公司（以下简称“晶能”）与株洲中车时代半导体有限公司（以下简称“中车时代半导体”）于近日签署了战略合作协议。此次合作聚焦于Si、SiC、GaN等功率半导体器件的芯片设计、工艺创新、模块封装及测试验证等关键领域，旨在共同推动功率半导体技术的突破与产业化。

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全球半导体硅片巨头Siltronic、IKZ等强强联合推进4英寸AIN单晶衬底产业化 

半导体领域的三大领军机构——德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）、半导体设备制造商PVA TePla AG与全球半导体硅片巨头世创电子材料公司（Siltronic AG, FWB:WAF）近日宣布开展一项开创性合作项目，以整合各自在晶体生长领域的技术专长，致力于实现氮化铝（AlN）晶体生长的规模化量产。

该项目致力于实现4英寸AlN单晶衬底的规模化生产，为满足高功率电子器件和紫外光电子领域日益增长的应用需求提供关键材料支撑。通过攻克将AlN晶体直径从2英寸扩大至4英寸的关键技术，项目团队着力破解该战略性材料从实验室小试到工业化量产的核心转化难题。

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微芯科技与台达电子合作开发碳化硅电源解决方案 

近期，微芯科技宣布与台达电子签订新的合作协议，双方共同开发碳化硅（SiC）电源解决方案，以满足企业对人工智能和电气化应用中更高效技术的需求。

根据协议，台达电子将在其设计中采用微芯的mSiC™ 产品和技术，此合作将优先验证微芯的碳化硅解决方案，协议包括技术培训、提前获取产品样品等内容。

台达电子计划利用微芯在碳化硅和数字控制方面的经验，加速其在高增长市场领域解决方案的上市时间。

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瞻芯电子与中导光电达成战略合作 共推半导体国产替代进程 

中导光电官微消息，他们与瞻芯电子于近日达成战略合作伙伴关系，致力共同推动SiC功率芯片制造的关键制程良率提高与核心检测设备的国产化替代进程。签约现场，瞻芯电子董事长张永熙与中导光电资深副总裁徐景瑞出席。

双方此次合作以“硬核技术突破、卡住关键环节、实现全面替代”为核心目标，剑指碳化硅功率芯片制造领域“卡脖子”难题，在工厂场景中全面完成美系检测设备的国产化替代，为半导体装备国产化按下“加速键”。

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安森美+石溪大学：推进SiC等半导体材料的研究 

据外媒“BISinfotech”7月19日报道，安森美与美国纽约的石溪大学达成合作，并共同投资800万美元（约5722万元人民币）建立材料研究中心。该中心还得到了美国帝国发展公司的支持。据介绍，为了提高人工智能和电气化的能源效率，该中心寻求发展碳化硅和其他宽禁带材料以及器件支持技术的基础研究，并预计将于2027年初全面投入运营。

安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示，“人工智能和电气化的广泛使用是通过先进的功率半导体实现的，为此我们还正在构建新的人才体系，从而进一步推动功率半导体的创新发展。”

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安森美x舍弗勒 强强联合 

7月24日，安森美（onsemi）在官网宣布与舍弗勒扩大合作，双方签署了一项新的设计协议。根据协议，安森美的下一代EliteSiC碳化硅MOSFET产品线将为舍弗勒的牵引逆变器提供动力，该逆变器将应用于某全球领先汽车制造商的高端插电式混合动力汽车（PHEV）平台。

根据协议，安森美的EliteSiC碳化硅MOSFET将集成至舍弗勒的牵引逆变器设计中，重点优化系统能效与可靠性。EliteSiC技术以行业领先的低传导损耗（相比同类产品降低20%）和卓越的短路鲁棒性为核心优势，可实现紧凑、热效率高的逆变器设计，显著提升整车续航里程与动力输出稳定性。例如，在典型工况下，采用EliteSiC的逆变器系统能量转换效率可提升3-5%，直接转化为车辆续航里程增加约10%。

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企业动态/新产品/新技术

北方华创两款化合物外延设备通过龙头客户验收 

7月1日，北方华创披露，其自主研发的两款MOCVD（金属有机物化学气相沉积）外延设备——Satur N800和Satur V700顺利通过行业龙头客户验收，并获得批量重复订单。

北方华创的GaN MOCVD外延设备Satur N800，专为8英寸硅基氮化镓功率器件设计，具备大面积均匀温度场、稳定气流场、多片式大产能和自动化配置，满足外延层高要求，已在国内多家客户稳定运行并批量出货。

GaAs MOCVD外延设备Satur V700，突破关键技术，具备高均匀性、大产能、低成本优势，适用于Micro LED、射频、光电子等领域，已批量出货并获客户重复订单。

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西湖仪器攻克超薄片单晶金刚石剥离技术 

西湖仪器于近期攻克了超薄片单晶金刚石剥离技术，成功剥离出厚度<100μm的单晶金刚石超薄片。该技术在单晶金刚石加工领域带来了颠覆性的创新突破，不仅极大地降低生产成本，更将大幅提升加工效率，为超薄片单晶金刚石在高端电子、量子科技、高端光学窗口等多个前沿科技领域的广泛应用奠定基础。

西湖仪器研发的激光隐切技术利用激光在材料内部进行非接触改性加工，能够精确控制激光在材料内部的作用位置，从而实现超薄金刚石单晶片的分离。该技术可兼容多种加工尺寸，分片效率高，材料损耗小。无论加工1英寸还是未来的4英寸、6英寸金刚石，材料损耗始终控制在100μm甚至更小水平；相较传统激光剥离，该技术极大提升了加工效率，以加工1英寸为例，耗时<30min。

信息来源：

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深圳平湖实验室在SiC激光剥离技术领域取得新进展，性能指标达到国际先进水平

深圳平湖实验室使用国产的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现SiC激光剥离的单片总损耗≤75μm，单片成本降低约26%，达到国际先进水平，已完成三批次的小批量验证，良率100%。核心性能指标达到国际先进水平。

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深圳平湖实验室GaN课题组5项研究成果亮相第15届国际氮化物半导体会议ICNS-15

本月，第15届国际氮化物半导体会议（International Conference on Nitride Semiconductors，ICNS）在瑞典马尔默召开。ICNS-15是氮化物半导体领域国际学术会议，展示了基于III类氮化物半导体的材料和器件的具有高度影响力的科学和技术进展。ICNS-15 汇集了来自 37 个国家/地区的研究人员，分享他们的最新突破，交流思想，并推动氮化物半导体领域的发展。

本次会议，深圳平湖实验室GaN器件及工艺课题组展示了5项成果（1篇口头报告，4篇墙报），就GaN器件的p-GaN栅极可靠性、100 V高性能器件、650 V先进集成平台进行了报道。这五篇报告的第一作者为吴妍霖、刘轩、冯超、姜作衡、吴克平和陈嘉伟（共同一作），通讯作者为David Zhou和万玉喜。GaN首席科学家David Zhou和吴妍霖博士出席本次会议，进行学术分享、展示和交流。此外，吴妍霖博士担任了Power Electronic 2 (Reliability)的单元主席。

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纳设智能全自动双腔8英寸碳化硅外延设备交付 

2025年盛夏，纳设智能自主研发的全自动双腔8英寸碳化硅外延设备及多台8英寸单腔设备交付龙头客户！这一里程碑标志着公司在第三代半导体装备领域的产品实力迈入新阶段，为全球碳化硅产业链的降本增效注入新的创新动力。

本次交付的核心设备采用独立双腔体架构，独创的反应腔室设计让客户运营成本大大降低，同时创新性融合多区独立进气控制与智能温场系统，实现6英寸与8英寸晶圆的高兼容性生产。在工艺性能上，外延层厚度均匀性稳定在1%以内，掺杂均匀性达2%以内，缺陷密度≤0.1cm2，达到行业先进水平。

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河南联合精密材料主持制定全球纳米金刚石应用新标准正式发布 

2025年7月7日，由河南联合精密材料股份有限公司主持制定的国际标准ISO 6031:2025《ISO 6031:2025 Functional extenders for special application — Nanoscale diamonds for polymer composites》，经国际标准化组织（ISO）批准，正式向全球发布。（https://www.iso.org/standard/81969.html）。这是全球金刚石相关标准中第一个由中国主持制定的国际标准，标志着中国超硬材料企业在国际标准领域实现从“跟随”到“引领”里程碑式飞跃。

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华林嘉业：碳化硅专用清洗设备交付 

近日，北京华林嘉业科技有限公司（CGB）成功向国内领先的第三代半导体企业交付了自主研发的湿法清洗设备集群，这一重要里程碑标志着我国在碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）晶圆制造关键设备领域取得了实质性突破，为产业链自主可控提供了有力支撑。

该设备将用于碳化硅外延及器件产线，助力其提升晶圆制造良率与产能效率。特别是在碳化硅功率器件领域，其优异的耐高压、耐高温特性，使其成为电动汽车、光伏逆变器等高端应用的核心器件。交付设备构成完整的清洗链条：从光刻环节的显影/去胶（半自动显影机、无机去胶清洗机），到刻蚀后处理（介质/硅酸碱腐蚀台），再到终极清洗（多类型超声波清洗机），甚至特殊材料处理（碳化硅晶片清洗机），形成8大关键工艺节点的闭环。

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广州粤升8英寸SiC外延设备完成研发并出货 

7月29日，广州粤升半导体设备有限公司官微透露，自主研发的 8 英寸碳化硅（SiC）外延设备成功完成研发并顺利交付标杆客户。这一成果不仅是企业自身技术实力发展的重要里程碑，更标志着中国 SiC 产业在关键设备领域实现了自主可控，为行业高质量发展注入了强劲动力。

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山东力冠升级PVT设备，引领8-12英寸碳化硅晶圆高效量产 

为突破大尺寸碳化硅（SiC）晶圆在生长效率、均匀性控制及成本方面的关键瓶颈，山东力冠微电子装备有限公司近日正式发布其12英寸PVT电阻设备及8英寸多坩埚设备。为8-12英寸SiC晶圆的规模化、稳定化、低成本制备树立了新的行业标杆。

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武汉大学成立集成电路学院，中科院院士刘胜任院长 

7月10日，武汉大学集成电路学院揭牌成立，中国科学院院士刘胜任首任院长。

现场，武汉大学与长江存储科技控股有限责任公司签署战略合作协议。

长江存储董事长陈南翔表示，高素质人才是突破“卡脖子”技术的核心，双方将探索“产教融合、协同育人”新模式，培养兼具理论基础和工程能力的复合型人才。长江存储将以开放合作态度全力支持学院发展，携手推动中国集成电路产业自主创新和繁荣。

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DTI收购AKHAN Semiconductor：金刚石半导体产业化按下快进键 

近日，美国材料创新公司Diamond Technologies Inc（DTI）宣布收购AKHAN Semiconductor，Akhan 在过去十年中开发的所有专利、商业秘密、知识产权、专有机械和工程材料尽归DTI所有。这一交易不仅标志着金刚石半导体产业化进程加速，更可能重塑全球先进材料竞争格局。

Diamond Technologies Inc. 是一家材料创新公司，致力于在半导体、航空航天、国防、光学和工业应用领域开发和商业化基于金刚石的解决方案。通过收购 Akhan Semiconductor 的资产，DTI 拥有人造金刚石技术领域最先进的专利组合之一，使一类新型超硬、导热和光学透明材料能够为下一代技术提供动力。

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英飞凌：今年将提供12英寸GaN 

7月2日，英飞凌在官网宣布，其基于12英寸晶圆的可扩展氮化镓制造技术进展顺利，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

据了解，英飞凌已能在现有大批量制造基础设施内成功开发12英寸氮化镓功率晶圆技术。英飞凌表示，他们已做好准备，将扩大客户群，进而巩固其市场地位。

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英诺赛科：发布3款GaN新品 

近日，英诺赛科相继推出来3款氮化镓相关的产品，一款为300W GaN电机驱动评估板，其已被美的及维京应用；两款为顶部冷却En-FCLGA封装产品，可实现太阳能微型逆变器、储能系统和最大功率点跟踪优化器的最高效率。

300W GaN 电机驱动评估板：

此次推出的 INNEMD310V3A1 评估板采用700V INN700TK350B GaN，可在台架测试中轻松评估高达 300W 负载的组件。据悉，700V INN700TK350B GaN可轻松替代 MOS 或 IGBT 解决方案，并显著提高效率，可用于家用电器（冰箱、空调、洗衣机和高速吹风机）以及工业应用场景中所有类型的电机驱动和逆变器中。

两款顶部冷却En-FCLGA封装产品：

这两款新品分别是INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，是业界首款硅场效应晶体管（SFET）的点对点（P2P）替代品，可立即提升效率并提高功率密度，在36V至80V的输入条件下，系统功率损耗可降低50%以上。由于是基于100V 双冷却 En-FCLGA 封装而研发，两款产品都采用了先进的100V E-mode GaN技术、100V Dual-cool En-FCLGA技术。

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瑞萨电子：推出3款新型高压650V GaN FET 

7月1日，瑞萨电子推出3款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。

这三款产品都基于SuperGaN®平台打造。与硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN产品相比，基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。

瑞萨电子表示，此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。

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南京芯干线：推出350WGaN电源模块 

6月30日，南京芯干线推出了350W电源模块，可适用于电动摩托车充电电源、通讯基站备用电源、服务器机房备用电源等领域。

具体来看，该模块采用两颗X3G6509B8氮化镓开关管驱动PFC升压，搭配两颗XD6506F8碳化硅二极管整流，同时以两颗X3G6509B8氮化镓器件构建LLC半桥电路，实现48V/7.3A稳定输出，转换效率高达96%，完美适配大功率POE设备及USB PD3.1 240W快充场景。

基于此，该模块具备电池充电快、体积小、重量轻、功率密度高、噪音小、转换效率高、可靠性高、抗震能力强和完善的保护功能。南京芯干线明确，该模块凭借创新的 PFC+LLC 电源架构与同步整流技术，为大功率供电需求带来卓越解决方案。

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镓未来：GaN器件被联想采用 

7月2日，镓未来携手联想打造的拯救者245W氮化镓充电器正式推出。镓未来提及，这款芯片之所以能同时实现“小身材、高性能、大能量”的三重突破，其核心模块正是由镓未来集成式Cascode氮化镓功率器件实现强力驱动。

在充电器的适配器内部，PFC级关键器件采用一颗镓未来G2N70R150PD-H功率器件，LLC谐振拓扑核心器件采用两颗镓未来G2N70R240PB-H功率器件，两种器件耐压均为700V，瞬态耐压均可达800V，均支持传统硅MOS驱动，使用更加简单，能够大幅提升系统可靠性。

据介绍，该充电器比联想原装230W方口适配器体积缩小约40%，却拥有245W巅峰输出，功率密度1.10W/cm³，仅需30分钟即可给拯救者Y7000系列游戏本电量从0%超快冲至90%。

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氮矽科技：发布增强型硅基氮化镓晶体管 

近日，氮矽科技发布了一款650V, 30mΩ增强型硅基氮化镓晶体管——DX65TA030。目前，该新品已进入量产阶段。产品优势方面，DX65TA030采用TOLL封装与宽禁带技术，能实现简单、快速且可靠的解决方案，具备最大30mΩ的低导通电阻，同时能承载高达60A的大电流。

与此同时，该产品具备以下特性：易驱动，超高开关频率；低栅极电荷，低输出电荷；散热卓越，结构简单，布板便捷；具备低电感特性，可实现快速开关响应；无体二极管，零反向恢复损耗。

DX65TA030还适用于数据中心电源、AC-DC转换器、PFC电路、逆变器、Class-D等应用领域。截至目前，氮矽科技已发布 E-mode GaN HEMT 系列产品共18款，覆盖电压范围650V~700V，方便客户根据自身的产品定制选择。

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中科半导体发布氮化镓机器人智能快充芯片 

7月21日，中科半导体宣布正式发布氮化镓机器人智能快充芯片。

据了解，本次发布的氮化镓（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过“氮化镓ASIC芯片+GaN功率管”集成的差异设计，是为机器人定制化的快充专用芯片。

该芯片包括了1000W、200W、100W、65W四种规格，芯片内置了快充协议，为响应1000W超充场景下即时监测电池状态、通过人工智能算法技术和高采样率的ADC监测，对电子迁移过程形成全周期充电闭环监控和管理。对电池充电过程的电压、电流、电池热失控、过充保护、电流突变和劣质电池进行安全监测，降低异常电流引起的电子迁移风险和极端工况下的断充响应，以降低“高倍率大容量电池”在家庭环境下的充电安全，是专业为家庭机器人、工业机器人、医疗机器人等高功率高倍率电池充电应用场景设计的专用智能超充ASIC芯片解决方案。

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欣锐科技：车载电源新品导入GaN 

7月28日，“欣锐科技”官微宣布，其车载电源9代平台“锐虎”（Wattmatrix-Tiger）正式发布。该平台基于0BC与DC-DC模块内核，通过技术升级、先进工艺导入，实现了多重安全架构（零安抛）等重大突破。其中一项突破性创新就是全行业首次实现基于双向氮化镓器件的单级矩阵变换器拓扑（双向）量产技术。与此同时，“锐虎”还具备两大优势：一是多重安全架构，双DC-DC方案，实现零安抛；二是超紧凑设计，适配全行业车型，兼容独立与大集成产品形态。欣锐科技还透露，本次平台方案是与某头部主机厂联合攻关研发，且已经过多次测试验证。

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广东致能报告全球首创硅基垂直GaN HEMT功率器件技术 

近期，广东致能创始人黎子兰博士参加在瑞典举办的第十五届国际氮化物半导体会议（ICNS-15）并作邀请报告（Invited Talk）。报告分享了团队在硅基垂直氮化镓功率器件（GaN HEMT）技术上的原创性突破及应用前景。

广东致能团队全球首创在硅衬底上实现垂直GaN/AlGaN异质结构及垂直二维电子气沟道（2DEG）的直接外延生长，通过精准工艺调控，制备出低位错密度的氮化镓鳍状结构，该方法具备极高的外延结构设计自由度。

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Wolfspeed新推出1700V碳化硅MOSFET系列 

Wolfspeed推出的工业级C3M0900170x和车规级E3M0900170x碳化硅MOSFET，专为20W至200W的辅助电源设计。这些产品基于Wolfspeed可靠的第三代碳化硅技术，并在其先进的200mm制造工厂独家生产。

除了传统的 TO-247-3 (D) 和 TO-263-7 (J) 封装，Wolfspeed 还新增了全塑封 TO-3PF (M) 封装，专为工业应用设计。此封装无需绝缘热界面材料，降低了组装成本和错误风险。同时，TO-3PF (M) 通过增加引脚间爬电距离至 4.85mm 并避免外露漏极板，显著提升了产品在恶劣环境下的稳健性。

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三菱宣布推出面向5G-Advanced的GaN功率放大器模块 

图4 紧凑型7GHz频段GaN功率放大器模块（PAM）

三菱电机为5G-Advanced基站开发了一款紧凑型7GHz频段GaN功率放大器模块（PAM），如图4，据称其功率效率为全球最高。

三菱电机表示，该模块的尺寸为12.0mm×8.0mm（原型），其设计目的是便于安装并提高基站的功率效率。

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12款SiC车型上新，价格进一步下探

近日，包括蔚来、零跑、宝马、奔驰、理想、长安启源等车企又发布了12款SiC车型。SiC车型的价格正在进一步下探，以吉利银河A7为例，预售价格最低为10.38万元。此外，新势力（如蔚来、零跑、理想）与传统车企（如宝马、奔驰、丰田）都在发力，而碳化硅应用已成为新能源与高端燃油车技术升级的共同选择，汽车赛道竞争正在加剧。

图5 新增碳化硅车型统计

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镓创未来半导体实现碳化硅衬底氧化镓外延核心指标全球领先 

近日，镓创未来半导体科技（晋江）有限公司在福建省晋江市正式成立，致力于氧化镓（β-Ga₂O₃）异质外延材料的研发与产业化。创始团队由西安电子科技大学博士团队组建而成，核心成员均拥有十年以上氧化镓/碳化硅材料研究或产业经验，其技术依托于西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室和宽禁带半导体国家工程研究中心。目前，在氧化镓外延生长、缺陷调控、掺杂模拟与工艺等方面已申请相关专利20余项，发表SCI论文30余篇。

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华为海思入局SiC领域，推出两款SiC器件 

近期，华为旗下海思技术有限公司进军碳化硅功率器件领域，首批推出两款TO-247封装1200V SiC单管，面相工业高温、高压场景场景。

海思ASO1K2H020M1T4是一颗采用TO-247-4封装的1200V碳化硅MOSFET，25°C环境下导阻20mΩ，而在175°C高温下也可维持30mΩ超低导阻，栅极电荷185nC，最高可通过100A电流（25℃）。

海思ASO1K2H035M1T4是一颗采用TO-247-4封装的1200V碳化硅MOSFET，25°C环境下导阻35mΩ，而在175°C高温下也可维持57mΩ导阻，栅极电荷108nC，最高可通过100A电流（25℃）。

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海信功率半导体发布自主研发的国内首款SDIP-26封装系列Full SiC IPM模块产品 

在第三代半导体材料碳化硅（SiC）因其损耗低、耐压高、温度特性好和可靠性高等优势，继国际巨头之后，海信功率半导体于日前正式发布了自主研发的国内首款SDIP-26封装系列Full SiC IPM模块产品——HMS15A075D1！这款产品性能卓越，实测数据令人振奋：该全碳化硅智能功率模块损耗降低55%，电流输出能力提升51%；耐压提升30%，产品电网适应能力更强；导通压降全电流范围内，电压与温度的变化率仅为1.2 mV/℃，温度特性好；抗短路能力提升75%，产品在极端情况可靠性更强。

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瞻芯电子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用 

近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案提供商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品，凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗，为应用系统提供高效、可靠的解决方案。

瞻芯电子1200V 35mΩ SiC MOSFET是基于最新的第3代SiC MOSFET工艺平台开发的重要产品系列，具有下列4种型号，均按汽车级可靠性标准(AEC-Q101)设计和测试认证，具有低损耗、高可靠、高频开关等特点，其驱动电压推荐18V，且兼容15V。特别值得一提的是，该系列产品导通电阻(Ron)具有较低的温升系数，能在高温条件下，仍然保持较低的导通电阻，确保应用系统高效运行。

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项目建设/投融资信息

至信微电子：设备即将进场，预计明年初实现SiC模块投产 

6月27日，据“南通产控集团”官微消息，位于江苏南通的至信微电子碳化硅模块生产基地的筹备工作正紧锣密鼓地进行。至信微电子副总经理何京京表示，“南通生产基地投产后，预计碳化硅模块年产能达15万件。”

目前，南通生产基地的装修工作基本进入尾声，研发与生产设备即将陆续进场，技术及产线人员的招聘已基本到位，预计到明年初实现碳化硅模块的投产。对此，何京京进一步表示，“投产后，公司将拥有自主可控的生产能力，摆脱对外部代工厂的依赖，大幅降低生产成本，预计单位生产成本可降低约25%，显著增强市场竞争力。”

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氢基新能科技集团第四代半导体金刚石项目动工 

2025年7月18日，氢基新能科技集团与主投方上海卓远方德半导体有限公司联合投资的集成电路新材料第四代半导体MPCVD金刚石材料及高端晶圆生产基地项目正式动土建设。

半导体项目将引进先进的MPCVD金刚石材料生产线、12英寸电子级大晶圆材料生产线等高端智能制造设备，通过融入智能化制造、智慧化管理，打造全新智能化绿色半导体材料生产企业。项目用地165亩，总投资约30亿元。项目全部建成后，预计达到年产480万片的产能规模。项目的实施，不仅将有力填补区域在半导体领域的空白，完善相关产业链条，更能带动上下游产业集聚发展，提升区域的整体竞争力和影响力。

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Coherent位于越南的SiC工厂正式落成 

据外媒“Vietnam+”报道，7月28日，美国头部SiC衬底企业Coherent位于越南的SiC工厂正式落成。该工厂耗资1.27亿美元（约合人民币9.12亿元），将生产碳化硅半导体、光学玻璃和先进光学器件。Coherent越南仁泽工厂总经理Gan YC透露，新工厂将对公司布局碳化硅及光学产品的产能发挥关键作用，是推动工业系统转型、高速通信和数据中心基础设施发展的核心动力，将有助于增强公司供应链稳定性、缩短交付周期，更高效地覆盖亚洲重点市场。

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英飞凌在马投资300亿 建全球最大碳化硅半导体厂 

德国半导体巨头英飞凌科技（Infineon）落实在马来西亚300亿令吉额外投资，在吉打居林高科技工业园兴建全球最大200毫米碳化硅功率半导体工厂，不仅巩固大马作为全球半导体制造重镇的地位，也为本地带来1500个高薪职位。

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8个集成电路项目集中签约重庆 

集成电路产业是支撑数字经济发展的核心基石，也是区域产业竞争力的重要标志。据重庆发布，7月28日，西部科学城重庆高新区举行集成电路重点项目集中签约活动。活动集中签约了集成电路重点项目8个、总投资42.5亿元。

此次签约项目包含华润封测扩能项目、东微电子半导体设备西南总部项目、芯耀辉半导体国产先进工艺IP研发中心项目、斯达半导体IPM模块制造项目、芯联芯集成电路公共设计服务平台项目、积分半导体封测项目、锐芯半导体芯片设计及检测总部项目、米特科技硅光集成芯片光纤陀螺项目。

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多家企业融资信息: 

天域半导体再次递交港股上市申请 

中国碳化硅（SiC）功率半导体制造商广东天域半导体股份有限公司（以下简称“天域半导体”）已于7月22日再次向香港联合交易所提交上市申请。据悉，此前6月13日，天域半导体已获港股上市备案通知书，允许发行不超过46,408,650股普通股，并于港交所上市。

米格实验室A1轮融资，携手京津冀国家技术创新中心促进成果转化 

米格实验室宣布完成A1轮融资。作为国内领先的新材料与半导体科研检测平台，我司本轮融资由北京市新材料产业投资基金（有限合伙）和京津冀国家技术创新中心旗下北京京津冀技术创新中心有限公司联合投资，标志着米格实验室在新材料与半导体检测领域的实力再次得到业界的高度认可，将在国家级技术创新中心的引领下，为科技成果转化贡献力量。

飓芯科技获3亿元B轮融资 

近日，北京飓芯科技有限公司（以下简称“飓芯科技”）宣布完成3亿元人民币的B轮融资。本轮融资由国家制造业转型升级基金特定投资载体深创投制造业转型升级新材料基金、中国国新所属的国风投新智基金联合领投，广发信德、盛景嘉成参与投资，老股东荷塘创投持续加注。

芯迈半导体港交所IPO 

6月30日，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司港交所IPO申请获受理，独家保荐人华泰国际。芯迈半导体是一家功率半导体公司，成立于2019年，通过自有工艺技术提供高效的电源管理解决方案。公司采用创新驱动的Fab-Lite集成器件制造商(IDM)业务模式。

钜芯科技北交所IPO获受理 

6月27日，北交所正式受理了安徽钜芯半导体科技股份有限公司（简称：钜芯科技）IPO申请，保荐人：国泰海通证券。钜芯科技是一家专注于半导体功率器件及芯片研发、封装测试、生产和销售的高新技术企业，产品以光伏组件保护功率器件为主，产品线涵盖整流、快恢复、超快恢复、肖特基、瞬态电压抑制器（TVS） 等二极管及整流桥堆、MOSFET等功率器件产品。

至信微电子：完成战略轮近亿元融资 

近日，至信微成功获重要国资及产业方投资战略轮近亿元投资，目前深圳国资已成为至信微第一大投资方，此次融资款将主要用于产品和工艺研发、碳化硅（SiC）模块产线建设以及公司日常运营，旨在提升市场竞争力，更好地满足下游市场需求。

忱芯科技：获得江苏首单AIC股权基金投资 

7月2日，忱芯科技宣布成功斩获江苏省首单AIC（金融资产投资公司）股权基金投资。本次投资的AIC基金由苏州工行携手工银投资等投资平台及产业龙头共同设立，是江苏省“政府+产业+金融”深度协同的股权投资基金。

研微半导体：完成A轮首批数亿元融资 

7月4日，研微半导体宣布完成A轮首批数亿元人民币融资，由多家头部产业投资机构联合领投。本轮资金将重点投入ALD等高端薄膜沉积设备的核心技术迭代、产能扩张及下一代产品开发，进一步强化高端设备的国产替代能力。

谱析光晶完成超亿元B轮及Pre-B+轮融资 

近期，碳化硅特种芯片及系统解决方案提供商谱析光晶完成超亿元B轮和Pre-B+轮融资，由路遥资本（余杭金控）、爱杭基金领投，嘉新创禾芯、智远投资、中芯熙诚（中芯国际）等。本轮融资将主要用于加速创新产品研发、产能扩建及市场推广。

芯联集成收购芯联越州 

7月18日，中国证监会正式批准了芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称“芯联集成”）58.97亿元收购芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司（以下简称“芯联越州”）72.33%的股权的交易。至此，芯联集成即将完成对于芯联越州的100%控股。

芯德半导体获近4亿元融资 

江苏芯德半导体科技股份有限公司新一轮融资正式落地，本轮融资由市/区两级机构联合领投，元禾璞华、省战新基金、雨山资本跟投。本轮融资金额达近4亿元人民币，将主要用于进一步加速布局SiP（系统级封装），FOWLP（扇出型晶圆级封装），Chiplet-2.5D/3D，异质性封装模组等高端封测技术研发及生产。

中晶微电半导体有限公司再获融资 

近期，中晶微电（上海）半导体有限公司（以下简称“中晶微电）再获融资，此次投资人为常州创星聚能投资合伙企业（有限合伙）（以下简称“创星聚能”）。

自成立以来，中晶微电已完成三轮融资。

珂玛科技收购苏州铠欣 

7月22日，苏州珂玛材料科技股份有限公司（简称“珂玛科技”）发布公告，拟以现金人民币1.02 亿元收购苏州铠欣半导体科技有限公司（简称“苏州铠欣”）73.00%的股权。本次交易完成后，公司将直接持有苏州铠欣73.00%的股权，并成为苏州铠欣的控股股东。这一举措旨在进一步完善珂玛科技在先进陶瓷材料领域的布局，增强其在半导体及相关产业的综合竞争力。

山西国科完成A轮亿元融资 

今年7月，山西国科半导体光电有限公司（以下简称“山西国科”）完成A轮亿元融资，由太行基金、山证投资、腾飞资本、首业资本、上海彧好等联合投资。

 

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