宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（八月）

　　为助力宽禁带半导体产业生态圈建设，推动技术创新与资源高效对接，宽禁带联盟特别推出《产业信息简报》，本刊聚焦政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板块，为行业同仁打造一个全面、权威、高效的信息交流平台。每月更新，持续为行业赋能。

　　因篇幅限制，本期呈现内容为精选版本。完整版简报已同步发送至联盟成员单位邮箱，如您需获取完整版内容或有技术突破、项目进展、合作需求或行业活动需推广传播，欢迎与我们联系。让我们携手推进宽禁带半导体产业高质量发展！

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 目 录 

政策资讯

1	青岛“10+1”产业体系加速推进 氧化镓等前沿半导体材料发展提速

技术前沿

1	北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心魏进研究员团队在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展
2	深圳平湖实验室研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
3	中国科大团队成功实现GaN PiN二极管的超快结温映射
4	中国科学院苏州纳米所陆书龙团队在氮化镓基单片集成器件领域取得进展
5	中科院苏州纳米所秦华团队在氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究方面取得进展
6	山东大学最新成果：1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET
7	日本东京科学大学：通向下一代GaN晶体管的低成本路线
8	麻省理工学院：世界首个光控垂直GaN finFET
9	西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授在金刚石基氧化镓热管理领域取得突破性进展
10	中南大学突破金刚石/铜复合材料热管理瓶颈：高导热、低膨胀、强稳定性同步实现
11	北京高压科学研究中心成功制备出百微米至毫米级的高纯度类单晶块体样品
12	湖南大学团队：金刚石表面构建SiC层，突破复合材料散热瓶颈
13	深圳技术大学：铜基双面对称金刚石沉积技术实现低翘曲无裂
14	金刚石薄膜新突破：给芯片降温，还要从界面下手
15	日本：完成硅废料与CO₂合成半导体级碳化硅粉体的基础研究
16	西湖大学仇旻团队成果：3.8克超轻、可量产、无彩虹伪影的碳化硅AR 波导

联盟动态

1	宽禁带联盟2025年度第三次团标评审会顺利召开
2	2025年工程师跨界沙龙-宽禁带半导体大讲堂：XR浪潮下的碳化硅机遇，下一代视觉技术的材料与工程挑战成功举办
3	第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）开放注册！11月共聚郑州！

企业合作

1	安森美携手英伟达共推向800V直流供电架构转型
2	Novel Crystal Technology与Kyma合作开发氧化镓外延片
3	Incize与Atomera就射频GaN-on-Si展开合作
4	小鹏汽车与芯联集成联合开发 国内首个混合碳化硅产品实现量产
5	基本半导体与中汽芯签署战略合作协议
6	Axcelis与GE航空联合研发超结SiC功率器件
7	内蒙古两大碳化硅项目签约

企业动态/新产品/新技术

1	天科合达SiC交付量创新高，突破100万片
2	晶升股份推出SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉
3	飞时科技Map 2530：大尺寸兼容，微电阻缺陷无处遁形
4	西湖仪器：激光隐切实现小于100μm金刚石超薄片分离
5	九峰山实验室新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品发布
6	方正微电子推出高性能1200V2.1mΩ HPD SiC MOS模块
7	士兰微、扬杰科技、赛晶科技、新洁能等披露SiC业务进展
8	安世半导体宣布推出用于AI服务器的SiC二极管
9	芯联集成上半年营收增长24.93%，国内首条8英寸SiC MOSFET产线已实现批量量产
10	Wolfspeed推出第四代1200V车规级裸芯片碳化硅MOSFET
11	国内首套全国产碳化硅器件双向超充桩面世
12	东莞科利金新材料有限公司推出SiC模块新技术
13	安森美的EliteSiC技术为小米SUV的800V驱动平台提供动力支持
14	连科半导体：首家成功生长12吋碳化硅晶锭的专业设备商
15	浩思动力首发氮化镓增程发电系统
16	小米的下一代90W便携充电器采用氮化镓技术
17	英诺赛科第三代700V氮化镓全面上市
18	QPT 用 1 MHz GaN 驱动颠覆机器人电机控制
19	荣盛集团实现5–6英寸大面积多晶金刚石稳定生长
20	荣盛集团实现金刚石热沉片批量化“零翘曲”生产

项目建设/投融资信息

1	斯达半导在上海成立新公司

 

2	基本半导体在杭州成立新公司
3	长安深蓝&斯达：SiC项目投产，产能达180万片

多家企业投融资信息：

1	博宏源完成首轮战略融资
2	星驱科技：融资将加速SiC技术研发
3	悉智科技再次融资，杭州SiC模块线签约落地

 

4	国科测试:融资用于第三代半导体测试设备等
5	镓未来完成亿元级B+轮融资
6	微见智能:融资将加大先进封装研发布局

政策资讯

青岛“10+1”产业体系加速推进 氧化镓等前沿半导体材料发展提速 

在科技创新空前密集活跃的当下，青岛正坚持以科技创新为引领，加快推进“10+1”创新型产业体系建设。聚焦8优先发展2个先导产业、突破发展5个新兴产业、提质发展3个优势产业、超前发展1批未来产业的“10+1”重点产业方向，青岛正在努力“卡位”产业新赛道，集聚产业新集群，崛起产业新增量，不断积蓄城市产业未来竞争力。在先进半导体材料领域，青岛重点布局以磷化铟、氧化镓等为代表的化合物半导体，瞄准晶圆衬底制造等关键核心技术持续发力。其中，华芯晶元半导体化合物晶片衬底项目已启动，致力于以碳化硅、氮化镓、氧化镓等材料为基础，推动新一代高性能芯片衬底的规模化生产。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/-47k9m9MtCL1q0WuB8jGSA

 技术前沿 

北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心魏进研究员团队在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展 

近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 在日本熊本市举行。北京大学集成电路学院两篇高水平论文入选，向国际功率器件与功率集成电路领域的同行展示了北京大学最新的研究成果。这两篇论文内容涉及GaN CMOS集成技术、SiC MOSFET可靠性物理研究。

信息来源：

https://mp.weixin.qq.com/s/StawkYiMilrK7a9ni5_GWg

深圳平湖实验室研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延 

近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延。

该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发展及其产业化进程奠定基础，可批量应用于大尺寸、高质量GaN外延材料的制备，为现有硅基GaN技术路线提供了一种极具竞争力的替代方案。

其突破性在于：1）缺陷密度显著降低：GaN外延材料中的缺陷密度下降10~15倍,有望从根本上解决GaN器件的可靠性问题、通过10年以上寿命验证；2）散热性能大幅提升：SiC衬底的高热导率将进一步提升GaN器件的功率密度与集成度。

图1 (a) 8英寸4H-SiC衬底上GaN外延片实物照片 (b) 2μm GaN外延层的截面透射电子显微镜照片 (c) AlN成核层与4°off-axis 4H-SiC界面可见特征性的7 nm宽度原子台阶与周期性的位错结构

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/LutzqnmGL8D0quKxivQcUQ

中国科大团队成功实现GaN PiN二极管的超快结温映射 

中国科学技术大学（USTC）的研究人员利用采样率达105 Sa/s的超快共聚焦热反射显微技术（CTRM），在高达10000 A/cm2的极端应力瞬态期间成功实现了垂直GaN PiN二极管的动态结温（Tj）映射。

研究人员表示，该方法可在极端应力瞬态期间实现结温的时间分辨测量，从而识别器件的退化/失效机制。得益于CTRM实现的超快结温映射，他们已识别出浪涌电流应力下的器件失效机制，并揭示了热扩散/积累的动态过程。此外，为提升浪涌电流应力下的散热性能，他们开发了基于键合金刚石散热片的热管理方案，可在10 ms浪涌电流测试中将浪涌能量密度从323 J/cm2（无金刚石散热片）进一步提升至390 J/cm2。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/d6121qdlSrQ1ve94lRPCSg

中国科学院苏州纳米所陆书龙团队在氮化镓基单片集成器件领域取得进展 

近期，苏州纳米所陆书龙团队基于GaN材料外延与器件工艺方面的积累[Communications Materials6, 83 (2025)；Small Methods 9, 2400989 (2025)；Chip 4, 100149 (2025)；Journal of Semiconductors 46, 022401 (2025)；Applied Physics Letters 126, 262104 (2025)]，在氮化镓基单片集成器件领域取得了重要进展。

进展一：设计并验证双向光电流机制

传统半导体p-n结的单向导通特性限制了具有双向光响应能力器件的集成。此研究通过在p-GaN/(In,Ga)N异质结中引入水凝胶/p-GaN局部接触界面，在单一器件内构建了双异质结结构。所研制的双功能器件在365nm和520nm光照下分别表现出负和正的光电流，成功实现了对不同波段光照的双向光电流响应。该研究为面向复杂应用场景的一体化光电子芯片提供了一种可行的思路。

进展二：探测/突触双功能智能传感与人形机器人应用验证

此工作采用电化学剥离技术移除硅外延衬底，并在透明基底上构建了“界面-体相分离”结构，包含石墨烯/(Al,Ga)N异质结功能区和GaN功能区，首次实现了自驱动360°全向GaN基探测器与人工突触的单片集成，成功在单一器件中融合“快速响应”与“慢速弛豫”特性。同时，团队率先验证了此新型双功能器件在人形机器人领域中的应用潜力，有助于提高人形智能机器人的智能感知与计算能力，并降低功耗。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/dugwRdhDNt5uL-De143AKQ

中科院苏州纳米所秦华团队在氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究方面取得进展 

苏州纳米所秦华团队提出并研制了一种基于氮化镓肖特基二极管(GaN SBD)的无源太赫兹相控阵芯片原型，工作频率为0.32 THz，阵列规模为32×25。该芯片利用GaN SBD的高速变容特性实现阵列天线谐振模式的动态调控，支持模拟和数字调相两种工作模式。在0–210°的连续相位调节范围内，平均插入损耗为5 dB，调制速率超过200 MHz，平均相位调节误差为1.8°。针对现有GaN晶圆材料的非均匀性和SBD工艺偏差导致阵元间相位调节存在偏差的问题，团队提出了基于差分进化的控制策略，主瓣增益提升了4.2 dB，并且有效抑制旁瓣水平。在±45°扫描范围内，波束增益为18 dBi。基于该芯片，团队也演示验证了目标的跟踪定位和信号的定向传输等功能。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/L_yN2ns3tQR0GkuWpKALLQ

山东大学最新成果：1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET 

近日，山东大学＆华为联合报道了应用氟离子注入终端结构的1200V全垂直Si基GaN沟槽MOSFET（FIT-MOS）。氟离子注入终端（FIT）区域固有的具有负性电荷成为高阻区域，天然地隔离了MOSFET器件，取代了传统的台面刻蚀终端（MET），消除了台面边缘的电场聚集效应，从而将FIT-MOS的BV从MET-MOS的567 V提升到1277 V。此外，所制造的FIT-MOS表现出3.3 V的阈值电压（Vth），达到了107的开关比（ION/OFF），以及5.6mΩ·cm2的比导通电阻（Ron,sp）。这些结果表明，在高性价比Si基GaN平台制备的垂直晶体管在kV级应用中具有很大的潜力。相关成果以《1200 V Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFET》为题发表在《IEEE Electron Device Letters》上。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/tFmHwqmpDXTRXReFxvuDZA

日本东京科学大学：通向下一代GaN晶体管的低成本路线 

日本东京科学大学（TUS）的Atsushi Kobayashi领导的研究团队，成功利用溅射法在AlGaN/GaN异质结构上生长了ScAlN薄膜，并研究了生长温度对其特性的影响。

研究人员通过在不同温度下进行溅射，在AlGaN/AlN/GaN异质结构上外延生长了具有10%钪含量的ScAlN薄膜。随后，他们利用原子力显微镜（AFM）和高能电子衍射技术研究了薄膜结构。

分析结果显示，即使在250°C的低温下也能实现外延生长，且薄膜表面平整度随温度升高而有所改善。值得注意的是，在750°C下生长的样品中观察到明显的阶梯-平台表面结构，表明结构质量较高。

霍尔效应测量表明，在750°C下生长的样品中，二维电子气（2DEG）的载流子密度达到1.1×1013 cm−2，约为无ScAlN的AlGaN/AlN/GaN异质结的3倍。相比之下，低温生长的薄膜的载流子密度低于初始无ScAlN的异质结。

这些结果表明，生长温度对异质结中2DEG的形成至关重要。750°C时载流子密度的提升归因于结构质量的改善。然而，与初始异质结构相比，所有ScAlN样品的电子迁移率均有所降低，这可能是因为ScAlN势垒在AlGaN/AlN/GaN界面附近引入的粗糙度和结构缺陷。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/8NxK8tyWkn8tLHl12FnFBQ

麻省理工学院：世界首个光控垂直GaN finFET 

本研究提出了一种新型的光控垂直GaN finFET，可通过低功率紫外光（UV）直接触发导通。该器件由一个常关型垂直GaN finFET构成，并配有一个光学透明的照射窗口。当受到365纳米波长的紫外光照射时，耗尽的鳍片沟道中会产生电子-空穴对，从而使器件导通。该光控垂直finFET的工作原理首先通过仿真验证，在30 mW/cm²的照射强度下，预测可实现5个数量级的开关电流比。随后通过实验验证了该器件的性能，在VDS=3V条件下，仅需微瓦级紫外LED光功率即可触发超过90 A/cm²的导通电流密度。尽管器件存在较高的暗电流，但由于高度缩小的鳍片结构中强烈的光伏效应，其最大光响应度超过105A/W。这些初步结果表明，该器件在未来高功率系统中具有显著提升电磁干扰（EMI）抗扰性、简化系统设计、降低成本并提高可靠性的潜力。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/3-pOeO4C1CymVQURLiKDnA

西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授在金刚石基氧化镓热管理领域取得突破性进展 

近日，由西安电子科技大学研究团队开展技术攻关，在宽禁带半导体材料集成领域取得取得突破性进展，相关成果2025年8月31日以“Van der Waals β-Ga2O3thin films on polycrystalline diamond substrates”为题在线发表于《Nature Communications》（DOI：10.1038/s41467-025-63666-x），该研究成功实现高质量β-Ga2O3薄膜与高导热多晶金刚石衬底的有效集成，为解决氧化镓基电子器件热管理难题提供了新路径。该研究由西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、宁静教授带领完成，西安电子科技大学张进成教授为论文通讯作者，宁静教授为论文第一作者，杨芷纯硕士研究生为论文共同第一作者。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/rqQMpTiwcEnNepR_pme2jQ

中南大学突破金刚石/铜复合材料热管理瓶颈：高导热、低膨胀、强稳定性同步实现 

近日，中南大学魏秋平团队，提出了一种结合控制界面层厚度的界面设计策略，以达到同时提高金刚石/Cu复合材料的传热能力、热膨胀匹配性和热稳定性的目的。结果表明，当溅射时间为45 min时，所设计的金刚石/Cu复合材料具有优良的TC（743 W/m·K ）、低的CTE和较快的热响应，在大气环境中经过100次热循环后，复合材料的热扩散系数仅下降了20.7%，仍保持较高的热扩散系数，达到244.9mm²/s，证实了WC-(Zr,W)C多级界面层的引入有利于提高金刚石与基体的界面结合强度和声子匹配，此外，金刚石/铜复合材料在热冲击后具有均匀分布的金刚石颗粒、较高的相对密度和孤立的孔隙，保证了其优异的传热性能，这不仅解决了金刚石/铜复合材料的工程应用难题，阐明了其强化机理的深入理解，而且为热管理复合材料的界面层设计提供了新的视角。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/6mmPBguRA5aPDUJqUmcMqA

北京高压科学研究中心成功制备出百微米至毫米级的高纯度类单晶块体样品 

近日，北京高压科学研究中心的杨留响研究员，杨文革研究员，以及毛河光院士与中国科学院西安光机所罗端研究员带领的国际研究团队成功制备出百微米至毫米级的高纯度类单晶块体样品。相关结果以《Synthesis of bulk hexagonal diamond》为题发表于Nature杂志。

北京高压科学研究中心与中国科学院西安光机所科学家带领的国际研究团队通过采用金刚石对顶砧技术，在可控高温高压（准静水压条件）下，成功将高质量石墨单晶前驱体转化为百微米级、高度有序的六方金刚石。团队借助原位单晶X射线衍射技术，首次精确揭示了石墨-六方金刚石相变过程中的晶体学取向关系，系统阐明了其相变机制，并确认了合成样品特有的三重孪晶结构。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/ezDFM-ee19fw63DiJOSJEw

湖南大学团队：金刚石表面构建SiC层，突破复合材料散热瓶颈 

金刚石/铝（diamond/Al）复合材料因其低密度、高导热率、可调热膨胀系数而备受关注。然而，该类材料在界面上容易生成Al4C3相，不仅降低稳定性，还会在潮湿环境下发生水解，导致性能迅速衰退。

为解决上述难题，湖南大学团队提出了一种新方法：先利用磁控溅射在金刚石颗粒表面沉积一层均匀的硅（Si）预设层；再通过真空退火，使Si逐步转化为碳化硅（SiC）；最终与铝基体通过压力浸渗结合，形成稳定的复合材料。

这一策略避免了金刚石与铝直接接触，有效抑制了Al4C3的大量生成，同时通过SiC层改善声子匹配，显著提升了界面热导。相关成果以“Preparation of homogeneous SiC coating on diamond particles by magnetron sputtering for diamond/Alcomposites with high thermal conductivity”为题，发表在《Ceramics International》期刊上。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/1jBQIEqJpctENggtx3tbiQ

深圳技术大学：铜基双面对称金刚石沉积技术实现低翘曲无裂 

近期，深圳技术大学韩培刚团队，黄江涛团队与何斌团队合作，通过在铜基板双面对称沉积纳米金刚石（NCD）和微晶硅金刚石（MCD）的异质沉积策略，解决了铜基金刚石薄膜因热膨胀系数差异导致的翘曲和开裂问题。实现了低翘曲、无裂纹的高性能热管理材料。

铜基双面对称金刚石沉积技术的核心在于，通过在铜基板两侧对称沉积金刚石层，有效抵消了因材料热膨胀系数不匹配而产生的内应力。这种设计从根本上解决了金刚石膜因应力集中而导致的翘曲和裂纹问题，确保了材料的平整性和完整性。

行业已经成功实现了2英寸金刚石热沉片的稳定批量化生产，并攻克了650μm高厚度金刚石生长后脱硅“零翘曲”的核心工艺难关。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/k_hUmq4h5oE69PUa0cCPWA

金刚石薄膜新突破：给芯片降温，还要从界面下手 

美国特拉华大学与苏州实验室的团队在《Thin Solid Films》上发表研究，系统比较了三种结构：金刚石/硅、金刚石/碳化硅和3C-碳化硅/硅。测得0.63微米厚金刚石/硅膜导热率约为240 W/(m·K)，但界面热导仅18 MW/(m²·K)。透射电镜显示金刚石和硅之间存在约5纳米厚的非晶层，阻碍热传导。相比之下，3C-碳化硅直接在硅上外延生长，无非晶层，界面热导提高至78 MW/(m²·K)，但该膜内存在大量堆垛层错，导致整体导热率从理论500 W/(m·K)降至约300 W/(m·K)。

研究还发现，金刚石薄膜的晶粒尺寸和非晶碳含量影响导热性能：晶粒越大、非晶碳越少，导热越好。通过调整生长温度和气体比例，可使晶粒尺寸从十几纳米增至几十纳米，导热率随之上升。

综上，要提升金刚石薄膜对芯片的散热效果，需同时减少与非晶基底间的过渡层，并控制薄膜内部晶粒质量和缺陷密度。团队下一步计划先在硅表面生长一层碳化硅，再沉积金刚石，借助碳化硅的高界面热导提升整体散热效率。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/NeTAnBBJUES3vbMSEht_Ng

日本：完成硅废料与CO₂合成半导体级碳化硅粉体的基础研究

日本材料科技企业Resonac近日宣布，其与东北大学（Tohoku University）联合推进的“硅废料+二氧化碳合成SiC半导体粉体”的基础研究阶段已圆满完成，下一步将向工艺实用化与产业化迈进。

图：硅废料和CO2的资源再生示意图

该研究的核心理念是将硅晶圆制造中产生的大量废弃硅（saw-dust型硅微粉）与温室气体CO₂作为原料，通过特殊化学路径直接合成半导体级碳化硅（SiC）粉体，为绿色制造模式建立起全新范式。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/4dd-MoeLyyiIzArJSCNSSw

西湖大学仇旻团队成果：3.8克超轻、可量产、无彩虹伪影的碳化硅AR 波导 

近日，西湖大学、慕德微纳（杭州）科技有限公司针对设备厚重导致佩戴不适，且全彩显示时的“彩虹伪影”等问题，联合发布了一种颠覆性的解决方案，采用碳化硅（SiC）材料成功研发出超轻、超薄的衍射光波导。该方案首次实现了单层碳化硅衍射光波导的设计、量产级制造与封装，为基于SiC的AR技术路线奠定了开创性基础。基于该单层SiC波导，不仅实现了无彩虹伪影的全彩显示，且其重量仅为3.795克，厚度薄至0.75毫米，实现了远超传统方案的轻量化水平（注：日常佩戴的近视眼镜单目在几克-几十克不等）。更重要的是，该技术与大规模量产的超薄菲涅尔处方镜片兼容，为近视用户提供了“一站式”的轻便AR视觉解决方案。这项工作为未来消费级AR眼镜的发展扫清了关键障碍，为下一代信息交互方式开辟了充满希望的道路。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/aRpR8NCXyP1CjYmKYiXSwg

联盟动态

宽禁带联盟2025年度第三次团标评审会顺利召开 

2025年8月19日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2025年度第三次团体标准评审会召开。此次会议旨在对《氧化镓单晶位错密度的测试方法》等3项已立项的团体标准进行送审稿及草案评审；对《金刚石单晶位错密度的测定阴极荧光光谱法》等2项待立项的第九批团体标准进行立项评审。

最后，经由标委会与会专家投票表决，《金刚石单晶位错密度的测定阴极荧光光谱法》等2项团体标准成功获准立项，《氧化镓单晶位错密度的测试方法》等3项标准送审稿及草案顺利通过评审。

目前宽禁带联盟现面向全行业开放合作，诚邀宽禁带半导体材料生产、设备制造、终端应用等领域企事业单位参与上述标准编制起草工作。有意者可通过以下方式联系联盟标委会。

邮箱：mishuchu@iawbs.com

电话：010-50875766-721

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/9bINIEA7f8ctS5Iu7tHe2A

2025年工程师跨界沙龙-宽禁带半导体大讲堂：XR浪潮下的碳化硅机遇，下一代视觉技术的材料与工程挑战成功举办 

为推动北京国际科技创新中心建设，加速宽禁带半导体材料在扩展现实（XR）技术攻关与跨界融合，8月29日下午，由北京市科学技术协会创新服务中心主办、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟等单位承办的"2025年工程师跨界沙龙宽禁带半导体大讲堂系列活动"在机械工业出版社融媒体中心成功举办。本次活动以“XR浪潮下的碳化硅机遇，下一代视觉技术的材料与工程挑战”为主题聚焦碳化硅材料在XR领域的应用突破，吸引来自半导体材料、光学设备、智能穿戴等领域的三十余位专家学者及产业界代表参与。活动得到了中关村联盟联合会、零碳信息通信网络联合实验室的大力支持，同时也得到了蔻享学术、科研云等多家媒体的合作宣传，线上线下观看直播人数超三万人次。

精彩内容可通过【宽禁带联盟】视频号观看直播回放。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/jBcRq_GIJB6BGmiLveP_9A

第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）开放注册！11月共聚郑州！ 

为推动宽禁带半导体技术创新与产业应用深度融合，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）将于2025年11月25日-27日在河南郑州盛大召开。会议将以“芯联新世界，智启源未来（Wide Bandgap, Wider Future）”为主题，聚焦宽禁带半导体全产业链创新，涵盖装备、材料、器件、封测、终端应用等关键技术环节，深入探讨其在电力电子、新能源、通信技术、智能交通等领域的产业化应用前景。

会议将通过国际青年论坛，主题演讲，海报展示以及专业展区等多元化的活动形式，与来自全球产业链上下游的领军企业代表、顶尖高校及科研院所的权威专家学者，以及知名投资机构代表，共同发掘未来市场的增量机遇，致力于构建一个开放、协同、共赢的产业创新生态。

现全面开放注册，欢迎宽禁带半导体领域企业、高校参会，参展！

会议详情：https://mp.weixin.qq.com/s/wjPOtBnKy1tDuX7iEnPsAQ

企业合作

安森美携手英伟达共推向800V直流供电架构转型

7月30日，据安森美官微消息，安森美宣布与英伟达达成合作，共同推动向800V直流（VDC）供电架构转型。这一变革性解决方案将推动下一代人工智能（AI）数据中心在能效、密度及可持续性方面实现显著提升。

此次与英伟达的合作，将充分发挥双方在各自领域的技术优势，通过采用先进的第三代半导体技术，预计可明显减少AI数据中心的整体能源损失，提升能效，为AI数据中心的高效、稳定运行提供有力支撑，推动数据中心电力供应架构的升级。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/OclV7MnGkjOlYOAehXfCkg

Novel Crystal Technology与Kyma合作开发氧化镓外延片 

美国Kyma Technologies公司和日本Novel Crystal Technology Inc (NCT)正在合作开发氧化镓(Ga2O3)外延片，旨在加速Ga2O3器件在高压电力电子应用（包括电动汽车、可再生能源、航空航天和工业系统）中的商业化。

通过将NCT在生产高质量Ga2O3衬底方面的专业知识与Kyma的外延生长能力相结合，两家公司旨在开发适用于多kV级功率器件的大面积（直径150毫米）外延片的生产工艺。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/lF5y-HSgzC67Ri5GFM_Umw

Incize与Atomera就射频GaN-on-Si展开合作 

比利时半导体表征和建模公司Incize与美国半导体材料公司Atomera宣布展开合作，旨在为下一代射频和功率器件提升GaN-on-Si技术。

此次合作将Atomera的专有MST（一种可提高晶体管性能、能效和可靠性的硅薄膜）与Incize的表征平台相结合，涵盖衬底陷阱分析、噪声、线性度、热效应、从直流到毫米波的射频性能。

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小鹏汽车与芯联集成联合开发 国内首个混合碳化硅产品实现量产 

近日，小鹏汽车与芯联集成联合宣布，国内首个混合碳化硅产品已实现量产。该产品由小鹏汽车设计开发、芯联集成联合开发并量产落地。这一成果为提升新能源汽车的性能和降低成本开辟了新路径。

此次量产导入的混合碳化硅技术，创新性地将硅与碳化硅相结合，在不牺牲性能的前提下，有效降低了碳化硅芯片的用量。这一技术突破不仅大幅降低了芯片成本，还显著提升了功率密度，为新能源汽车的高效运行提供了有力保障。

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基本半导体与中汽芯签署战略合作协议 

8月23日，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）与中汽芯（深圳）科技有限公司（简称“中汽芯”）签署战略合作协议。

此次战略合作的重点是车规级功率半导体。凭借基本半导体国际领先的碳化硅功率器件研发、设计及产业化能力，结合中汽芯在芯片功能安全、信息安全、可靠性验证认证以及国家标准研究的平台资源，双方优势互补，为功率与驱动芯片关键技术突破瓶颈提供双重保障。

未来，双方将依托在车规芯片研发与检测认证方面的核心能力，联合攻关功率与驱动芯片的功能安全与可靠性测试技术。通过构建“研发—测试—认证—应用”全周期服务体系，建立资源共享与优势互补机制，为国产汽车芯片的性能跃升提供系统化的技术支撑。

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Axcelis与GE航空联合研发超结SiC功率器件 

2025年8月20日，美国马萨诸塞州比弗利——半导体设备厂商与航空航天巨头之间的一次握手，正把碳化硅技术推向一个全新的高度。Axcelis Technologies, Inc.（纳斯达克代码：ACLS）宣布与GE航空（GE Aerospace）启动联合开发计划（Joint Development Program, JDP），目标是打造具备量产能力的6.5kV至10kV超结功率器件。

这类高压超结器件研发，将依托Axcelis的Purion XEmax™高能离子注入机平台展开。该平台在业内覆盖了最广能量范围，可提供最高15MeV能量和业内领先的束流电流，为SiC器件深层注入提供关键能力。

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内蒙古两大碳化硅项目签约 

近日，内蒙古自治区在碳化硅产业领域取得重要进展，准格尔旗和通辽市库伦旗分别签约高纯石英砂及碳化硅项目和碳化硅产业园项目，总投资额达85亿元。这标志着内蒙古正持续依托自身资源优势，积极推动硅基新材料产业发展。

在准格尔旗，当地政府与新疆陆铁港投资集团、秦皇岛远东金控公司及内蒙古东海科技有限公司签署了项目投资合作协议，计划投资30亿元建设高纯石英砂及碳化硅项目。该项目将分期建设，建成后预计年产1500万吨高纯石英砂及碳化硅。此举旨在利用内蒙古丰富的硅石、煤炭资源，逐步形成特色产业布局，为碳化硅产业提供核心支撑。

与此同时，内蒙古通辽市库伦旗人民政府也与中科复材（吉林）科技有限公司正式签署了碳化硅产业园项目合作协议。该项目总投资55亿元，占地270亩，涵盖碳化硅粉体材料加工和碳复材加工等业务。项目建成后，将助力包头市光伏与钢铁产业融合发展，并有望在当地打造智能光伏支架深加工产品基地。

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企业动态/新产品/新技术

天科合达SiC交付量创新高，突破100万片 

2025年上半年，碳化硅产业在经历前期调整后迎来显著复苏，下游需求逐步恢复，在新能源汽车、光储充等领域的渗透加速。天科合达作为国内碳化硅衬底领域的领先企业，在2025年初实现累计交付量突破100万片的重要里程碑，还在上半年保持高速增长态势。

天科合达拥有深厚的技术积累，自早期便布局4英寸至8英寸导电型碳化硅衬底技术，持续推动产品迭代与质量提升，并与英飞凌、芯联集成等国际企业达成深度合作；同时通过全流程核心技术体系实现技术降本，提升晶锭利用率，有效降低器件成本，推动碳化硅应用普及；近两年积极布局8英寸衬底并获国内外长期订单，同时推进“衬底+外延”一体化策略，进一步巩固市场竞争力。

此外，天科合达积极拓展新增长领域，包括推出用于AR眼镜的8英寸光波导型碳化硅衬底，并与行业企业合作推进技术落地，同时布局先进封装等高潜力市场，展现出强劲的创新能力和战略前瞻性。

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晶升股份推出SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉 

基于多年在碳化硅设备领域的技术积累，晶升股份成功开发出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉。SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉关键性能指标，包括生长速率（≥60μm/h）、膜厚均匀性（＜1%）和掺杂均匀性（＜2%）等，均已达到国际同类产品的先进水平。

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飞时科技Map 2530：大尺寸兼容，微电阻缺陷无处遁形

在半导体、光伏、先进材料研发与生产领域，对导电材料电阻率及微小缺陷的精准、高效测量，是确保产品质量和性能的关键环节。传统测量设备常面临两大挑战：难以兼顾超大尺寸样品的兼容性与微小电阻缺陷的高精度定位。

飞时科技带来革命性的解决方案—— Map 2530 电阻率及缺陷分布测量系统。

Map 2530 核心参数：

样品尺寸兼容:10×10 mm² —303×303mm²(0.5 —12 inch)

适用样品：导电型晶锭/wafer/籽晶，或其他块体

电阻率范围：0.1 – 1000 mOhm·cm （可提供更低或更高的）

测量空间精度：1 / 2.5 / 5 / 10 / 25 mm

目前飞时科技正开放 Map 2530试样通道，样品测试要求请致电详询：010-58237159。

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西湖仪器：激光隐切实现小于100μm金刚石超薄片分离 

最近，西湖仪器宣布再次攻克了一项新的技术难题。通过激光隐切技术，成功剥离出厚度小于100微米（相当于0.1毫米）的超薄金刚石单晶片。

该技术无论加工1英寸还是未来的4英寸、6英寸金刚石，材料损耗始终控制在100微米以内；相较传统激光剥离，该技术极大提升了加工效率，以加工1英寸为例，耗时<30分钟。

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九峰山实验室新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品发布 

8月，湖北九峰山实验室推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。

（1）SiC胶囊沟槽MOSFET科研样品

基于九峰山实验室完全自主IP的SiC胶囊型沟槽MOSFET结构，结合优化设计的新型终端技术，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。

规格：BV≥1400 V，60~80 mΩ，可为客户提供bare die （有源区面积约3.35mm*3.35mm）或者TO-247 3 pin封装形式的器件，适用于特定测试及应用场景。10~40 mΩ器件正在流片中，可接受定制化开发。

（2）SiC周期性两侧深掩蔽沟槽MOSFET科研样品

基于九峰山实验室完全自主IP的SiC双侧深掩蔽沟槽MOSFET结构，已通过HTGB、H3TRB，HTRB可靠性检测。

规格：BV≥1400 V，20~80 mΩ，Ronsp~ 2-2.4 mOhm.cm2；可为客户提供bare die（有源区面积约3.35mm *3.35mm）和TO-247 3 pin封装形式的器件，适用于特定测试及应用场景。16mΩ以下芯片（有源区面积约5mm*5mm）正在流片中，可接受定制化开发。

（3）TO247封装科研样品数据及可靠性测试

科研样品都经过电性能筛选测试，及第三方可靠性摸底1000Hrs测试。

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方正微电子推出高性能1200V2.1mΩ HPD SiC MOS模块 

方正微HPD SiC MOS模块FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款专为新能源车主驱逆变器设计的高性能SiC MOS功率模块，旨在提供高效、可靠的主驱电控解决方案。

该模块SiC MOS芯片采用自研平面工艺，性能、可靠性处于行业领先水平，封装采用芯片银烧结、DTS等先进工艺，确保产品在高压、高功率及各种恶劣工况、环境下都能稳定可靠运行。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/n9POb9xleeZ5c6XjjRZwZg

士兰微、扬杰科技、赛晶科技、新洁能等披露SiC业务进展 

近日，多家碳化硅企业发布半年度报道，并披露了碳化硅业务最新进展，具体如下：

士兰微：预计8吋SiC产线年末通线

8月23日，士兰微公布2025年半年度报告，其中透露：上半年公司营业总收入约为 63.36亿元，比2024年同期增长20.14%，实现归属于母公司股东的净利润为2.65亿元，相比2024 年同期实现扭亏为盈。

2025年上半年，基于Ⅱ代SiC-MOSFET芯片的主驱模块累计出货2万颗，预计8吋产线年末通线。

扬杰科技：SiC芯片&模块项目均已投产

8月20日，扬杰科技发布了2025 年半年度报告。2025年上半年，扬杰科技营业收入约为34.55亿元，同比增长20.58%，归属于上市公司股东的净利润约为6.01亿元，同比增长41.55%。

碳化硅业务方面：SiC MOS市场份额持续增加，芯片&模块产线均实现投产。

赛晶科技：将收购湖南虹安

8月25日，赛晶科技举行了2025年中期业绩线上发布会，就上半年财务及经营表现进行了全面解读。报告期内，赛晶科技入8.88亿元，同比增长35.5%，归母净利润9377万元人民币，较2024年同期增长178%；

针对碳化硅业务，赛晶科技透露：在SiC芯片方面，其自研SiC芯片已经到达国际领先水平的1200V/13mΩ，HEEV封装、EVD封装模块，参数低至2mΩ至4mΩ，保持领先地位。

此外，今年7月赛晶科技还宣布收购湖南虹安，由旗下赛晶半导体增加注册资本420.6136万美元，投资者将以其在湖南虹安的100%股权出资认购，合计占赛晶半导体经扩大后股权的9%。

新洁能：SiC MOSFET已批量供货

8月20日，新洁能亦公布了2025年半年度报告。报告期内，新洁能共实现营业收入约9.3亿元，较去年同期增长了6.44%；归属于上市公司股东的净利润约2.35亿元，较去年同期增长了8.03%。SiC MOSFET实现批量供货，预计年末推出车规级产品。

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安世半导体宣布推出用于AI服务器的SiC二极管 

安世半导体（Nexperia）宣布推出两款1200V 20A SiC肖特基二极管，旨在满足AI服务器、电信设备和太阳能逆变器应用的电源装置对超低功率损耗整流器的需求。

据介绍，PSC20120J和PSC20120肖特基二极管通过不受温度影响的电容开关和零恢复特性实现了领先的性能。此外，其开关性能几乎完全不受电流和开关速度变化的影响。

它们具备合并式PiN肖特基（MPS）结构，在抵御浪涌电流上展现出稳健性。这一特性降低了对额外保护电路的要求。

PSC20120J采用真双引脚D2PAK R2P（TO-263-2）表面贴装器件（SMD）功率塑料封装，而PSC20120L则采用真双引脚TO247 R2P（TO-247-2）通孔功率塑料封装。

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芯联集成上半年营收增长24.93%，国内首条8英寸SiC MOSFET产线已实现批量量产 

芯联集成2025年半年度业绩公告显示，公司实现营业收入34.57亿元，同比增长24.93%，主要得益于新能源汽车和工控领域的强劲表现，其中车载领域营收同比增长23%，工控领域增长35%。AI作为第四大核心市场方向，上半年营收贡献占比6%。

公司碳化硅（SiC）业务取得重大突破，成为重要增长动力。在新能源汽车领域，6英寸SiC MOSFET新增项目定点超10个，新增5家汽车客户项目进入量产。国内首条8英寸SiC MOSFET产线已实现批量量产，关键性能业界领先。车规功率模组批量交付，相关收入增长200%。

芯联集成正从单器件扩展至芯片系统解决方案，覆盖动力域、底盘域等五大领域，上半年已导入客户15家，部分项目预计2025年下半年量产。

在新型电力系统领域，公司已建立完整风光储产品系列，4500V IGBT已成功量产挂网，工业变频模组进入量产阶段。公司还持续优化BCD平台工艺，推进技术迭代，带动12英寸模拟IC业务快速增长。

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Wolfspeed推出第四代1200V车规级裸芯片碳化硅MOSFET 

8月11日消息，Wolfspeed推出第四代 (Gen 4) 1200V车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片MOSFET系列，专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed第四代高性能碳化硅MOSFET，可在185°C下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。

该系列产品采用无封装裸芯片设计，可灵活集成于各类定制模块中。凭借高阻断电压、低导通电阻、高速开关及低电容等卓越特性，该器件成为汽车动力总成系统与电机驱动应用的理想解决方案。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/d3UYNl5tZTR-soR0XRLaKw

国内首套全国产碳化硅器件双向超充桩面世 

近日，广东电网公司佛山供电局生产指挥中心技术团队研发的全国首套“基于全国产化碳化硅器件的360千瓦/800伏特双向超充桩”通过新产品技术鉴定。该成果实现三大突破：实现全国产化替代、充电效率跃升至98%、充电速度达“5分钟续航200公里”，填补了国产碳化硅大功率充放电领域的技术空白，标志着我国在超快充核心基础装备国产化与高性能化上取得突破性进展。

该团队自主研发了国内最先进的沟槽型碳化硅器件，成功研制出最大输出功率360千瓦的全国产充放电装置，核心器件国产化率100%。相比现有设备96%的最高效率，该超充桩提升至98.4%，以“充电5分钟续航200公里”成为行业新标杆。以小鹏P7为例，传统快充需1小时，此技术仅需15分钟。

此外，该超充桩优越性能极大推动V2G双向赋能，通过“车-桩-网-平台”协同，促进多主体共赢，在降低社会用能成本的同时，推动城市交通与能源网络深度融合。

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东莞科利金新材料有限公司推出SiC模块新技术 

最近，国产车规级SiC模块在封装技术领域迎来了新进展——东莞科利金新材料有限公司推出一种新型封装材料——芯片界面耦合剂，可以为SiC模块提供5层保护，使得模块的预计使用寿命提升3倍以上，且达到10万次以上，可轻松高效应对车规认证的难题。

科利金研发的芯片界面耦合剂目前已经正式实现量产，并且已被SiC模块核心客户导入最新产品设计中。这种界面耦合剂不仅可以为SiC模块提供业界一直期待的高可靠性，而且可以大幅降低模块企业的生产成本和工艺难度，将为国产碳化硅大规模上车提供关键的助力。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/GyfD2fRAwP4iEkK5-iMnLA

安森美的EliteSiC技术为小米SUV的800V驱动平台提供动力支持 

总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔的智能电源和感知技术公司安森美宣布，其EliteSiC M3e碳化硅（SiC）技术正为中国公司小米制造的部分YU7电动运动型多用途车（SUV）车型搭载的800V驱动平台提供动力支持。EliteSiC M3e平台据称具有卓越的性能和效率，使汽车制造商能够设计出更小、更轻、更坚固的电动汽车（EV）牵引系统。

安森美表示，通过将EliteSiC M3e技术整合到牵引逆变器中，该平台可实现更优的性能和功率密度，同时降低整体系统成本并为驾驶者提供更长的续航里程。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/vxA4tQCv2h1ZAxjBTzPA1w

连科半导体：首家成功生长12吋碳化硅晶锭的专业设备商 

近日，连科半导体采用中宜创芯提供的7N高纯碳化硅粉体，依托完全自主研发的12吋碳化硅长晶炉及其热场，成功生长出高品质12吋（304mm）碳化硅晶锭。这标志着连科成为首家掌握12吋碳化硅晶体生长设备与工艺全套核心技术的半导体设备公司，这是连科作为设备厂商的又一重大突破。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/dtzvWRd8Ml2QotTemCK7zQ

浩思动力首发氮化镓增程发电系统 

浩思动力在官微宣布，首发氮化镓增程发电系统，该系统搭载了其自研的氮化镓功率模块。“冰刃”氮化镓功率模块超高功率，提高增程充电速度，快充升级，此外增程充电效率最高可达95%，WLTC效率可达94%，续航节能显著。这一创新成果有望改善用户在新能源汽车使用过程中的续航焦虑问题，进一步丰富了新能源汽车的动力解决方案。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/OclV7MnGkjOlYOAehXfCkg

小米的下一代90W便携充电器采用氮化镓技术 

近日，纳维半导体（NVTS）宣布，小米下一代90W GaN充电器将采用其GaNSense控制IC。该充电器尺寸为34×45×34毫米，重量仅65克，堪称目前全球最小的90W充电器，体积和重量分别约为传统GaN充电器的一半和三分之一。

充电器初级侧集成纳微NV9580 GaNSense控制功率IC，次级侧采用NV9701同步整流控制器IC。GaNSense Control系列融合第四代GaN功率与高频控制功能，以单表贴封装集成GaN功率FET、驱动器、控制器及保护电路，适用于高密度、高效率的充电与适配设计。

该控制IC支持最高工作频率，助力系统小型轻量化，并凭借无损电流感测、高压启动、无VDD电感等特性减少元件数量、提升效率。其瞬态击穿电压达800V，无PCB热点，能够以极小尺寸实现顶级能效。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/M-yZM3KPB4vP1FTGNK5Gow

英诺赛科第三代700V氮化镓全面上市 

8月18日，英诺赛科宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市。

相较Gen2.5，英诺赛科Gen3产品核心性能实现跃升，具体包括：

芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计；

开关性能提升20-30%，电容降低20-30%：有效降低开关损耗与驱动损耗，显著提升系统整体效率；

热性能优化：在同等应用条件下，芯片壳温可降低3-6°C，大幅增强系统长期运行可靠性。

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QPT 用 1 MHz GaN 驱动颠覆机器人电机控制 

2025年8月18日 — QPT正式发布MicroDyno，这是一款突破性的低压电机驱动测试平台，展示了基于氮化镓（GaN）超高频电机驱动技术的关键优势。该方案在降低系统复杂度与成本的同时，提供更高的控制精度与能效表现，为快速增长的协作机器人（cobot）市场带来显著益处。

MicroDyno的工作频率高达1 MHz，集成了紧凑型滤波器，能够向电机提供真正的正弦波电压——这使其在本质上区别于现有的低频PWM系统。尽管QPT的知识产权平台具备向高功率扩展的能力，但这款低压平台旨在展示其如何通过动态校正转矩齿槽效应与转矩波动，以及在驱动系统内实现高保真感测，从而变革协作机器人及通用机器人系统的性能。这一切都无需昂贵的外部传感器或编码器，从而显著降低系统成本，同时在性能上远超传统PWM系统。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/F6p4xJ5Ici3R5dKOFo36Fw

荣盛集团实现5–6英寸大面积多晶金刚石稳定生长 

近日，荣盛集团在高性能金刚石材料领域取得重大突破，成功实现5英寸（125 mm）与6英寸（150 mm）大面积多晶金刚石的稳定生长，厚度可达400 μm，具备“无翘曲”特性。这一成果为晶圆级金刚石散热器产业化奠定了核心技术基础，将直接服务于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体功率器件的高热流密度散热需求。

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荣盛集团实现金刚石热沉片批量化“零翘曲”生产 

荣盛集团宣布取得关键性突破：公司基于成熟的MPCVD技术平台，成功实现了不同热导率2英吋金刚石热沉片的稳定批量化生长，并一举攻克了650μm高厚度金刚石生长后脱硅几乎“零翘曲” 的核心工艺难关。高厚度且零翘曲为5G射频、激光器、功率模块等高端领域提供可量产、低成本、高性能的散热解决方案。

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项目建设/投融资信息

斯达半导在上海成立新公司 

根据企查查显示，8月21日，上海斯达集成电路有限公司（简称“上海斯达”）成立。股东信息显示，斯达半导体股份有限公司100%持股。

上海斯达注册资本5000万人民币，经营范围包含集成电路芯片设计及服务、软件开发、集成电路设计、集成电路芯片及产品销售、集成电路销售等。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/UWwLlD0cAHh9cjJNyGvVkQ

基本半导体在杭州成立新公司 

根据企查查显示，8月18日，基本半导体(杭州)有限公司成立，股东信息显示，该公司由深圳基本半导体股份有限公司（简称“深圳基本半导体”）100%持股。

基本半导体(杭州)有限公司注册资本1000万元人民币，经营范围包含半导体分立器件制造、半导体分立器件销售、集成电路芯片设计及服务、集成电路芯片及产品制造、集成电路芯片及产品销售、电力电子元器件制造、电力电子元器件销售等。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/UWwLlD0cAHh9cjJNyGvVkQ

长安深蓝&斯达：SiC项目投产，产能达180万片 

8月19日，据深蓝汽车官微透露，由深蓝汽车与斯达半导体合资组建的重庆安达半导体项目，于近日正式投产下线。深蓝汽车进一步透露，他们通过合资公司布局行业领先的车规级功率半导体研制，打造产业新标杆。未来将打造下一代PCB嵌入式封装SiC功率模块，为高性能电驱提供核心模块，实现系统电流输出能力显著提升，保持行业领先地位。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/FRVhXIBkAzXWyyOIXbGPoA

多家企业融资信息: 

博宏源完成首轮战略融资 

近日，国内领先的高端半导体设备领域上市企业华海清科股份有限公司（股票代码：688120）正式宣布完成对博宏源设备股份有限公司的战略投资。此次投资标志着双方在半导体高精密制造设备领域达成深度协同，通过产业资源与创新技术的深度融合，实现半导体制程各个环节的减薄，研磨，抛光设备领域的闭环。共同推动行业高质量发展，抢占全球市场新机遇。

星驱科技：融资将加速SiC技术研发 

近日，据企查查显示，星驱科技已获得B轮融资，融资金额达数亿元。本轮融资由芯联集成与市场化产业资本联合投资。星驱科技透露，此次融资将用于新一代超集成电驱系统量产落地、碳化硅技术研发及全球化市场拓展。这意味着中国新能源汽车核心部件自主化进程将再获关键助力。

悉智科技再次融资，杭州SiC模块线签约落地 

8月26日，据“苏州纳米城”报道，悉智科技已完成天使+轮融资。本轮融资由安芯投资、交银国信私募、清纯半导体等联合投资。

杭州城东智造大走廊临平片区重大项目集中签约仪式举行，悉智科技宽禁带功率模组生产基地项目就是其中之一。该报道披露，悉智科技的项目总投资约20亿元，主要用于建设宽禁带模组生产基地，新建的电驱产线、高端工业壳封塑封产线和汽车电源产线。

国科测试:融资用于第三代半导体测试设备等 

近日，据企查查显示，国科测试已获得A+轮融资，融资金额达数千万元。本次融资由济南仁信投资发展合伙企业（有限合伙）投资。据了解，本轮融资将用于第三代半导体及新能源测试设备产线扩建、晶圆级检测设备研发攻坚，以及高端飞针测试机批量交付，并加速推进全球化战略布局。

镓未来完成亿元级B+轮融资 

8月6日，据“36氪”报道，镓未来已经完成亿元级B+轮融资，由北海山旁边独家投资，资金将主要用于高压/大功率产品研发、供应链建设、业务拓展等方面。此外，他们预计今年芯片销售收入将超过1亿元。

微见智能:融资将加大先进封装研发布局 

8月27日，据“DoNews”报道，微见智能于近日完成超亿元的B轮融资，新投资方包括前海金控、明势资本、力合科创，老股东海通开元、分享投资追投。报道显示，微见智能此轮融资将主要用于产品研发，面向AI时代对传输、存储、计算等未来先进封装方向，加大研发和产品布局力度。

 

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https://mp.weixin.qq.com/s/uXl7EdmPDeMYxoJcmWWCLA

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